电子电路技术基础答案.docVIP

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 绝缘老化不通 。 6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接 1、单极型半导体器件是（ C ）。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1-36所示，当 （1）UBE=0.7V，UCE=6V，IC=？ （2）IB=50μA，UCE=5V，IC=？ （3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的（9分） 解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30μA，由(b)曲线查得IC≈3.6mA； （2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA； （3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V的过程中，ΔIB≈30μA，由输出特性曲线可知，ΔIC≈2.4mA，所以β≈2400/30≈80。 1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。 3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小