半导体物理第4章作业答案.pdfVIP

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2017-08-17 发布于湖北
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半导体物理第4章作业答案.pdf

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Solutions To The Problems Of Semiconductor （Part II ） Solutions To The Problems Of Chapter 4th （CEIE of HBU 席砺莼） 4 －1 ．（P113 ）300K 时，Ge 的本征电阻率为 47 Ω·cm ，如电子和空穴迁移率分别为 2 2 3900cm /V ·S和 1900cm /V ·S，试求本征Ge 的载流子浓度。 [解]T=300K，ρ＝47 Ω·cm，μ 2 2 ＝3900cm /V ·S，μ ＝1900 cm /V ·S n p 1 1 1 13 −3 ρ ⇒ni −19 2.29 ×10 cm n q + q + µ µ ρ µ µ i ( n p ) ( n p ) 47 ×1.602 ×10 (3900 +1900) [毕] 4 －2 ．（P 2 113 ）试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为 1350cm /V ·S和 2 500cm /V ·S 。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ [解]T=300K,，μ 2 2 ＝1350cm /V ·S，μ ＝500 cm /V ·S n p σ n q(µ +µ ) 1.5 ×1010 ×1.602 ×10－19 ×(1350+500) 4.45 ×10－6 s / cm 1 i n p 22 -6 16 -3 掺入As浓度为ND ＝5.00 ×10 ×10 ＝5.00 ×10 cm 2 2 杂质全部电离，N n ，查P 页，图 4 －14 可查此时μ ＝900cm /V ·S D i 89 n σ nqµ 5 ×1016 ×1.6 ×10－19 ×900＝7.2S/ cm 2 n σ2 7.2 6 1.62 ×10 −6 σ 4.45 ×10 1 [毕] 4 －5 ．（P113 ） 500g 的Si单晶，掺有 4.5 ×10－5g 的B ，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率（设μ 2 3 P ＝500 cm /V*s ，硅单晶的密度为2.33g/cm ,B原子量为