半导体禁带宽度_迁移率和热导率的计算.pdfVIP

山西大学学报 一 九八一年第四期 半导体禁带宽度、 迁移率 和 热 导 率 的 计 算 山西大学 杨 频 长春地质 学院 高孝恢 本文导 出了可 以统 一 计算元 素半导体 以及 二元和 多元半 导体 的禁带宽度 、 迁 移 率 拼 。 和 热导率 的经验 表达 式 特别是对近 种 晶体 的 实测值 同计算值作 了 比较 , 并 以 同 。 样 的准确性 , 预 计 了 种材料 的 值 半 导体 技术 的飞速 发展 , 要求合成具有特定物理 常数 的新型材料 。 如为 了开 发大功 、 率材料 , 需要化合物在禁带宽度 载流子迁 移率 拼 和 晶格热导 率 三 个主 要特 性 常 。 。 数分别达 到 一定 的数值 实验证 明, 短程作用对材料 的半导体 特性有重要影 响 而 以长 。 程序为基础 的 晶体 能带理论在预 测材料特性上存在 一 定 困难 因此 , 考虑 到材料组成和 。 化学键特性 的经验参数法 , 在 半导体特性常数 的预测 中进行 了不少探索 本 文 试 图 对 、 拼 和 的计算方法进 行述评并提 出我们 自己 的计算方 法 。 一 禁 带 宽 度 。 半导体 的禁 带宽度 与原子参数或键参数 间的规律变化 已有不少研 究 〔 一 〕 , 。 。 “ 〔 对 于第 元素半导体 指 出 幻 这里 是 原子 间距 则指 出 〔 〕 , ’ “ ‘ 一