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半导体课后习题答案1-8.pdf
第一章
1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近
能量E (k)分别为
v
2 2 2 2 2 2 2 2
h k h (k −k ) h k1 3h k
E (k)= + 1 E (k)= -
c v
3m m 6m m
0 0 0 0
m 为电子有效质量,k =1/2a ,a=0.314nm 。试求:
0 1
(1) 禁带宽度;
(2 ) 导带底电子有效质量;
(3 ) 价带顶电子有效质量;
(4 ) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
解:(1) 分别求出导带底与价带顶的极值,然后计算禁带宽度Eg
dE (K ) 2 2h2 (k −k )
2h k
由 C =0 得 + 1 =0 k=3k1/4
dk 3m m
0 0
d 2 E (K ) 2 2
h k
因为 C 0 ( k=3k /4 时) 所以E = 1
1 C min
dk 2 4m
0
dEv(K ) 2
6h k
由 =0 得 - =0 k=0
dk m
0
2 2 2
d Ev (K ) h k
因为 2 0 (k=0 时)
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