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华南理工大学07届半导体物理考试.doc
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！
华南理工大学期末考试
《半导体物理》试卷 2009.07.08
注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚；
2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；
3．考试形式：闭卷；
4. 本试卷共六大题，满分100分， 考试时间120分钟。
题 号 一 二 三 四 五 六 总分 得 分 评卷人
选择题（10分）
本征半导体是指________导体
A．不含杂质和缺陷
B．电子密度和空穴密度相等
C．电阻率最高
D．电子密度和本征载流子密度相等
2．砷化镓的导带极值位于布里渊区的________方向
A．布里渊区中心
B．1 1 1方向近边界处
C．1 0 0方向近边界处
D．1 1 0方向近边界处
3. 半导体的载流子扩散系数的大小决定于其中的
A．符合机构
B．散射机构
C．能带结构
D．晶体结构
4. 在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其________
A．禁带较窄
B．禁带是间接跃迁型
C．禁带较宽
D．禁带是直接跃迁型
5. 公式中的是载流子的___________
A．渡越时间
B．寿命
C．平均自由时间
D．扩散系数
解释下列概念（10分）
空穴
浅能级杂质
声子
迁移率
光电导
问答题（20分）
1.如下图是有三种原子构成的二维晶体网格
画出布拉菲格子
画出两种形式的原胞，并分别指出每个原胞的原胞个数
2.画出砷化镓的晶体结构示意图，并说明其能带特点
证明题（20分）
当且载流子的浓度 ， 时，半导体材料的电导率最小，并求的表达式
五、计算题（20分）
光照如图所示，n型半导体样品，假设光被均匀吸收，电子空穴对的产生率是G，（小注入）在以下两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布
不考虑表面复合
在x=0的表面的表面复合速度S
六、计算题(20分)
由金属-SiO2-P型硅组成的MOS结构，当外加电压使半导体表面少数载流子浓度ns与内部载流子浓度PP0相等时，作为临界强反型条件
试证明临街强反型时，半导体表面势，其中
画出临界强反型是半导体的能带图，标明相关符号，并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开，用文字指明
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姓名 学号 学院 专业 座位号
( 密 封 线 内 不 答 题 )
……………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………线………………………………………
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