原子层沉积技术及其在半导体中的应用.pdfVIP

第43 卷第4 期 . 43, . 4 2006 年7 月 　　　　　　　　　　真　空　　VACUUM 　　　　　　　　　　　　　　　　 Vol No . 2006 Jul 原子层沉积技术及其在半导体中的应用 申　灿, 刘雄英, 黄光周 (华南理工大学 电子与信息学院, 广东　广州　5 10640) 摘　要: 首先简述原子层沉积(ALD ) 技术的发展背景, 通过分析ALD 的互补性和 自限制性等工艺基础, 介绍 了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势, 着重列举ALD 在半导体互连技术、高k 电介 质等方面的应用。同时指出了目前ALD 工艺中存在的主要问题。 关键词: 原子层沉积; 前驱体; 半导体 中图分类号: TN 305. 8; TB 43　　　　文献标识码: A 　　　　文章编号:(2006) 04000 106 A tom ic layer depo sit ion an d its app l ica t ion s in sem icon ductor , , SH EN Can L IU X ion g y in g HU AN G Gu an g zhou (Colleg e of E lec tron ic and I nf orm a tion E ng ineer ing , S ou th Ch ina U n iv ers ity of T ech nology , Guang z h ou 5 10640, Ch ina ) A bstract: T h e m in iatu r izat ion o f sem icon du cto r dev ice s acce lerate s th e deve lopm en t o f atom ic layer depo sit ion (ALD ) techno logy. R ev iew s th e advan tage s o f ALD in un ifo rm ity an d con fo rm a lity by an a lyzing it s com p lem en tar ity an d se lf . , , . lim itat ion ALD h a s m any po ten t ia l app licat ion s in sem icon du cto r su ch a s in terconn ect ion gate d ie lect r ic