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反激式开关电源RCD 吸收电路的设计 power 1956 原创 wang 1jin 收藏. 个人博客: /blog/wang 1jin/ 推荐网站: / 推荐网站: /bbs 对于一位开关电源工程师来说，在一 或多 相互 立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天 讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS 管最大反峰，又要RCD 吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设， ① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ ； ② RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③ 在调整RCD 回路前主变压器和MOS 管，输出线路的参数已经完全确定。 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对MOS 管的VD 进行分段： ⅰ，输入的直流电压VDC ； ⅱ，次级反射初级的VOR ； ⅲ，主MOS 管VD 余量VDS ； ⅳ，RCD 吸收有效电压VRCD1 。 二﹑对于以上主MOS 管VD 的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压VDC 。 在计算VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 VDC ＝VAC * √2 ⅱ，次级反射初级的VOR 。 VOR 是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V ±5% （依Vo =5.25V 计算）， 二极管VF 为0.525V （此值是在1N5822 的资料中查找额定电流下VF 值）． VOR ＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主MOS 管VD 的余量VDS ． V 是依MOS 管V 的10%为最小值．如KA05H0165R 的V =650 应选择DC65V． DS D D VDC ＝VD * 10% ⅳ，RCD 吸收VRCD ． MOS 管的VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD 的最大值。实际选取的VRCD 应为最大值的90% （这里主要是考虑到 开关电源 个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。 V ＝(V -V -V )*90% RCD D DC DS 注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② V 必须大于V 的1.3 倍．（如果小于1.3 倍，则主MOS 管的V 值选择就太低了） RCD OR D ③ MOS 管V 应当小于V 的2 倍．（如果大于2 倍，则主MOS 管的V 值就过大了） D DC D ④ 如果VRCD 的实测值小于VOR 的1.2 倍，那么RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由VRCD1 和VOR 组成的 ⅴ，RC 时间常数τ确定． τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20 个开关电源周期。 三﹑试验调整VRCD 值 首先假设一个RC 参数，R=100K/RJ 15, C=10nF/ 1KV 。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载 的 则。在试验时应当严密注视RC 元件上的电压值，务必使VRCD 小于计算值。如发现到达计算值，就应当立 即断电，待将R 值减小后，重复以上试验。（RC 元件上的电压值是用示 器观察的，示波器的地接到输入电解 电容“＋”极的RC 一点上，测试点接到RC 另一点上） 一个合适的RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。 四﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低 VRCD 就越高，负载越重VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD 的试验值 如果大于以上理论计算的 VRCD 值，是否和 （三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压 时的计算结果，而现在是低输入电压。 重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 五﹑RCD 吸收电路中R 值的功率选择 R 的功率选择是依实测VRCD 的