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基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型.pdf
第26卷 第4期 固体电子学研究与进展 V o l. 26,N o. 4
2006 年 11 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE N ov. , 2006
纳米物理与器件
基于氧化铪的高 栅介质纳米 栅电流模型
k MO SFET
1, 2 3 1
王 伟 孙建平 顾 宁
(1 东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室, 南京, 210096)
(2 南京邮电大学光电工程学院, 南京, 210003) (3 美国密西根大学电气工程和计算机科学系)
收稿,收改稿
摘要: 运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高 栅介质纳米 栅电流, 该方法特别适用于高 栅介
k M O SFET k
质纳米 器件, 还能用于多层高 栅介质纳米 器件。使用该方法研究了基于氧化铪高 介质氮含量等元素
M O S k M O S k
对栅极电流的影响。结果显示, 为最大限度减少M O S 器件的栅电流, 需要优化介质中氮含量、铝含量。
关键词: 高 ; 栅电流; 量子模型
k
中图分类号: TN 386 文献标识码:A 文章编号:(2006) 0443604
-
M odeling of Tunneling Curren t Through Hf based D ielectr ic
F ilm s for Nanoscale MOSFET
1, 2 3 1
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