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存储器行缓冲区命中预测研究.pdf

第37卷第6期 计算机科学 V01.37No.6 2010年6月 Science June2010 Computer 存储器行缓冲区命中预测研究 王得利高德远王党辉孙华锦 (西北工业大学计算机学院 西安710072) 摘要存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈。现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问 操作的平均延迟。首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计 数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以Simplesealar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评 估。结果显示,与缓冲区“关”策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区“开”策略相比, 平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%。 关键词存储系统,行缓冲区,页模式预测,读写分离 中图法分类号TP302文献标识码A Research011RowBufferHitPrediction Access for Memory WANGDe-liGAO WANG SUN De-yuan Dang-huiHua-jin of 710072,China) (CollegeComputer,NorthwesternPolyteehnicalUniversity。Xi’an Abstract forthe reducedthe becomesabottle-neckoverall Memorysystem computersystemperformance.Thispaper access thecharacteristicsofDRAM control for rowbuffer memory averagememorylatencyusing Firstly。thestrategy wag ReadandWrite Predictor(RWS)formode was twosa- studied.Secondly,a Separated proposed,a page prediction turatedcounterandatwolevel torealizeRWSwerealso simulationbasedon predictor proposed.Finally,aplatform wasconstructedtoevaluatethe resultshowsthat withCLoSEstrate- SimpleScalar proposedpredictors.The compared about IPc is isalso

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