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存储器行缓冲区命中预测研究.pdf
第37卷第6期 计算机科学 V01.37No.6
2010年6月 Science June2010
Computer
存储器行缓冲区命中预测研究
王得利高德远王党辉孙华锦
(西北工业大学计算机学院 西安710072)
摘要存储系统已经成为提高计算机系统性能的一个瓶颈。现利用DRAM存储器的访问特性来减少存储器访问
操作的平均延迟。首先对存储器行缓冲区的控制策略进行研究,提出了读写分离式页模式预测器,并提出了双饱和计
数器预测器和2级预测器等两种预测器方案;然后以Simplesealar搭建的仿真平台对提出的预测方案进行了性能评
估。结果显示,与缓冲区“关”策略相比,平均访问延迟减少了26%,IPC平均提高了4.3%;与缓冲区“开”策略相比,
平均访问延迟减少了19.6%,IPC平均提高了2.5%。
关键词存储系统,行缓冲区,页模式预测,读写分离
中图法分类号TP302文献标识码A
Research011RowBufferHitPrediction Access
for
Memory
WANGDe-liGAO WANG SUN
De-yuan Dang-huiHua-jin
of 710072,China)
(CollegeComputer,NorthwesternPolyteehnicalUniversity。Xi’an
Abstract forthe reducedthe
becomesabottle-neckoverall
Memorysystem computersystemperformance.Thispaper
access thecharacteristicsofDRAM control for rowbuffer
memory
averagememorylatencyusing Firstly。thestrategy
wag ReadandWrite Predictor(RWS)formode was twosa-
studied.Secondly,a Separated proposed,a
page prediction
turatedcounterandatwolevel torealizeRWSwerealso simulationbasedon
predictor proposed.Finally,aplatform
wasconstructedtoevaluatethe resultshowsthat withCLoSEstrate-
SimpleScalar proposedpredictors.The compared
about IPc is isalso
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