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Stepper 機台基本原理 及操作簡介 FAB8A / PMA / PHOTO 黃郁斌 2/15/2000 * 大綱 1: PHOTO 流程 2: 曝光原理 3: 機台簡介 4: FAB 流程 5: 機台操作 6: 晶片傳送和機台異常 Reset 7: 機台 Alarm 處理 8: 不易對準處理 9: 測機注意事項 10: Semi-Auto 及操作異常相關處理程序 11: 名詞解釋 1.PHOTO 流程 STEPPER 顯影機 光阻機 SEM CD AA C D 量 測 A A 量 測 曝光圖形 ADI 2.曝光原理 - PHOTO = 照相 合歡山連峰照 對準機曝光 照相機成像 PHOTO 黃光 白光 暗房 紅光 光譜 I-line DUV 2.曝光原理 -為什麼是黃光 3.機台簡介 DUV: 0.25um 以上可生產機台, 共 5 台 - EX14C: E11-2, E11-3, E11-4, E12-1 - EX12B: E8-7 I-line(5x) : 0.35um 以上可生產機台, 共 15 台 -I14: I11-1, I11-5, I7-7 -I12: F9-4, F9-5, F9-6 對準機 -I11: I7-1 ~ I7-6, I8-1 ~ I8-6 I-line(2.5x) : 簡單層機台, 共 5 台 -4425i: O9-1 ~ O9-3, O-R1 ~ O-R3 光源波長 I-line: 365 nm 的 Hg Lamp DUV(KrF): 波長 246nm 的 Laser R= K*波長/NA 光阻機 顯影機 SEM AA ADI SIN, POLY, ILD, METAL POLY CONT METAL SIN, POLY CONT,METAL P+,N+ P-WELL P+ P-WELL PLDD N+ 4.FAB 流程 L7W01 SIN P-WELL P-FIELD POLY PLDD P+ N+ CONT METAL1 MVIA1 METAL2 MVIA2 METAL3 PAD 註 1 5.機台操作1 註 2 暫停 停止(曝光完成才停) 恢復 註 3 曝光順序 註 4 操作權限 曝光條件 連線 Semi-Auto 控制模式 生產 設定 資料 測機 生產 系統 5.機台操作1 -註1 5.機台操作1 -註2 Correction (補值) 位移 晶片 旋轉 晶片 擠進 擠出 晶片 XY方向 垂直性 MAG 放大 倍率 RR 光罩 旋轉 前層 圖形 本層 圖形 單位 μm 單位 μrad 單位 ppm 單位 μrad 單位 ppm 單位 μrad 單位: μm=1x10 m ppm=1x10 μrad=1x10 rad 5.機台操作1 -註3 Exp. Method: Normal ( 標準曝法, 依給之曝光條件) Test-2 (Matrix曝法, 為工程實驗) Matrix 曝光方法 : 水平方向改變能量 垂值方向改變 Focus 例: 中心值 700 ms / 0 Step 30ms / 0.2 曝光結果如下: Alg. Method: EGA(Enhance Global Align) 加強整片性對準 1st (第 1 層對準, 不做對準直接曝光) 對準程序: Notch check = Search = EGA = 曝光 5.機台操作1 -註4 初始化 或 Reset 光罩 傳送 (1) 光罩對準 (2) 或 Baseline check (4) 晶片 傳送 (3) 晶片 對準 (5) 曝光或 量測 (6) 晶片曝光程序 對準名詞解釋 光罩對準:光罩定位與機台對準 Baseline check:光罩位置與Stage 上之 Align s