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长波HgCdTe光导探测器在激光辐照后的电学参数的变化
朱克学张赞李向阳龚海梅方家熊
(中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083)
摘要：对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照，{4量了辐照
前后器件的电阻一温度特性，用电阻一温度特性研究材料参数的方法与实验结果进行拟舍，结果表
明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大，并由此计算得到探测器性能突变后，器件的电子迁移率与
电子浓度均有一定程度减小。认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面
及体内均产生的一定的变化而导致的．
激光辐照 拟合
关键词：长波HgCdTe光导探测器 电阻一温度特性
PCDETECTORAFTER
OFTHE乩ECTRICITYPARAMETERSOFLWIR LASER
CHANGE HgCdTe IRRADIATIoN
Yun LI Hai-MeiFANG
ZHU ZHANG GONG
Ke—‘Xue Xiang—‘Yang Jie—‘Xiong
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