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LED的基本知识和工艺基础知识 可以直接把电转化为光。 LED 心脏是一个半导体的 晶片 晶片的一端附在一个支架上，LED 概述　 LED Light Emit Diod 发光二极管 一种固态的 半导体 器件。一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是 P 型半导体，里面空穴占主导地位，另一端是 N 型半导体，这边主要是电子，中间通常是 1 至 5 个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子和空穴就会被推向量子阱，量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是 LED 发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，由形成 P-N 结的资料决定的 LED 工艺概述 LED Light Emit Diod 发光二极管，简称 LED, 一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，可以直接把电转化为光。 LED 心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是 P 型半导体，里面空穴占主导地位，另一端是 N 型半导体，这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，之间就形成一个 “ P-N 结 ” 当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向 P 区， P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是 LED 发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，由形成 P-N 结的资料决定的一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。由于具有容易控制、低压直流驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点，广泛应用于城市各工程中、大屏幕显示系统。 LED 可以作为显示屏，计算机控制下，显示色彩变化万千的视频和图片。 LED 一种能够将电能转化为可见光的半导体。 LED 外延片工艺流程： 近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管 LED 及激光二级管 LD 应用无不说明了 III V 族元素所蕴藏的潜能。目前商品化 LED 之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延生长法成长磷砷化镓 GaAsP 资料为主。 一般来说， GaN 生长须要很高的温度来打断 NH3 之 N-H 键解，另外一方面由动力学仿真也得知 NH3 和 MO Ga 会进行反应发生没有挥发性的副产物。 LED 外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N 型 GaN 层生长 - 多量子阱发光层生 - P 型 GaN 层生长 - 退火 - 检测（光荧光、 X 射线） - 外延片 外延片 - 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，发生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300~500 ℃ ，硅片外表和氧气发生反应，使硅片外表形成二氧化硅保护层。 倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，发生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。 清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序发生有机废气和废有机溶剂。 RCA 清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。 具体工艺流程如下： SPM 清洗：用 H2SO4 溶液和 H2O2 溶液按比例配成 SPM 溶液， SPM 溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成 CO2 和 H2O 用 SPM 清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。 DHF 清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时 DHF 抑制了氧化膜的形成。此过程发生氟化氢和废氢氟酸。 APM 清洗： APM 溶液由一定比例的 NH4OH 溶液、 H2O2 溶液组成，硅片外表由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜（约 6nm 呈亲水性）该氧化膜又被 NH4OH 腐