负载型Ni-B%2fSiO-%2c2-催化剂硫中毒显微结构和表面结构的研究.pdfVIP

电子量●学报 J．Chin．Electr．Micfo-c．s。c． 419～420 419 10(4)l 2000年 负载型Ni—B／Si0：催化剂硫中毒 显微结构与表面结构的研究 王蓉黄晓茜 (北京科技走学材丹特曩与化肇系，北京100083) (中用科学簏北京电子王簟t实鼙室，北京100080) 甩化学莲曩岳麓誊的负载疆Ni—B／Sio，隹化荆对于石油■品的加氢和加氲脱硫反应鼻有良 好特●魅蠹攘纛造赛挂∞，热孵，困扰谖类疆化荆严重的同一之一是琉中毒[t】．奉工作将遗甜电 毒后的负羹叠Ni-B／SiO：催祀荆的显徽结构和表面培桴特征． 羹尊■●膏囊■●件 t 用化学连募法翻备了新鲜负羲受Ni—B／SiO：催化搠口]．NiB愿子比为7．82．2。将■鲁好 和中毒后的■诧荆在无水乙醇中保存。经超声波振荡后。用蠢瞥将古有细小的僵化婀粉束的元承 t上进行，加毫电压为200kV。 ■●鼻讨论 删瓤。豫EM疆寨■示了在新辞负t型Ni—B／s誊O，穰化捆中，非‘毒量蘑衅蕾化荆柏主 要糖，少量的螬．Bl和Nio纳米晶体与非晶基体共存(见用1)。鼍着参加加董脱t反应时期的蔓 长，越来越丈穗置●g催化剂表面被纳米尺寸晶体相所I董，HREM研究涯宴r它们墨备种类蔓的 镍t化翻和音永硫酸镰，圈2是中毒Sh后催化荆样品的高分辨像。倒如Ni，S。、Ni。，S。。、NiS：、 到存在于中毒后的催化剂结构中。对比由反应时间不同的催化荆获得的高分辨像发现，中毒5h 詹僵化剂样品表面物相主要是镰的硫化物，而在较严重中毒(反应10h)后的僵化荆表面，各种言 水tt镰相是主要的晶体相，它们几乎疆董所有催化荆表面。 况，相应于本实验曲捌蚀条件，翻(b)的剽蚀深度约为2～3nm，图“)中两个结合蕾峰分别在 825．8和855．6ev，前者对应于金属讳，而后者结合麓蜂位可以对应N坞威NiO。然而腿EM虎 寨从来投有在中毒后的催化荆样品中发现■的氯化物，因而，图(8)中855．6ev处的结合麓蜂应 ■●结合麓峰是主要的峰。这意味着在负载型Ni—B／Sio：催化荆加氢脱蠢反应中，麓化镰和古水 毫麓一仅存在于健化荆表面几纳米厚度范圈内，在催化刺内部镰仍是以金属杰存在。由于束记录 刊镰晶体的高分辨像，因而仍然认为在中毒后的催化剂内部区域镰是以非晶形式出现． 冒4墨中毒10h后的催化剂的S”的XPS谱，相应于正二价和负六价硫的结合镌峰出现在 ●●tI●；I}lI，I．，，●；。，，，，●，{‘～，’}‘、，{{j；，}t}■ll，triI，、，‘1；；i；；＼，；}；．●』}、}}，。●I．I』f^，●J{， 霉上，这进一步证实负载型Ni．B／sioz催化荆在加氲脱琉反应中，表面硫化■和古水奠■■的生 成． 譬 ：}≈ 电子量簟学撮J．Chh日托打．Mic∞k．S∞． 一