复合宽频抗EMI材料探究.pdfVIP

张怀武，周海涛，刘颖力，钟智勇 电子乖l技大学信材学院17系成都610Q54 j{网j 铁氧中晰料的频率范围，掺杂Bho．,来实现低温烧结激的甜做验方法结果表明谢料频率范围为I-- IOOOMHz．烧结温度为870--920C． I．弓|言 Ir衄出rer髓)是指不需要的电磁信号或噪声信号等对需要 电磁干扰(卧皿-．Electro-Magnefi,c 的电磁信号的干扰。在如今电子信息时代，随着信息高速公路、卫星通信、移动通信、计算机应 用等的高速发展，电磁干扰(EMI)在军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，对公共环境 和人身安全以及军事必威体育官网网址、安全造成了很大的危害。目前强制性的电磁兼容标准(EMC)已经在 世界范围内执行．一些发达国家芷电磁鞭容设计技术、材j料技术、元器1牛主￡术等方面从80年馋 就开始研究，并形成一系列的标准加以应用。我国已于1998年底宣布执行电磁兼容标准。但我 国在此方面的研趟步较晚|在技术以及产品方面严重落后于簏达国家，因此，对抗EMI材料 和技术进行自主研制开发我国的抗EMI器件已是势在必行。 晶石的细小品粒结构，可提高频率范围，若同时加入CoFe 2O。与coY，其，将会更高。这种 2 材料的显微结构表明，C％Y是作为液棺在N记mCo晶秘出界促使其致密化，但却不增大晶粒尺寸 (除非嶷结温度超过某一临界值，例如1280℃)。因此矫顽力很大．畴壁被“冻结”，使磁化以 畴转为主。加入适量的Mn’或C矿，使之在烧结的#年温阶段抑制F矿的出现，C矿、M一的电子 氧体的制备工艺条件如下： 表1样品烧结工艺条件 ＼豢 a1 a2 a3 a4 b Bi_,O-】含量(wP／o)1 2 3 4 0 烧结温度(℃) 370--920 1I∞ 升温述率(℃／h) 150～200 g黼时间(h) 1．5～2 频率范围内的u．： ∞加∞舳如∞加如0 、◇静§§窜毋◇p◇ 频率(MHz) 图1不同Bi：o，含量对材料u’的影响n扣920℃) 60 50 40 30 20 10 … 0一一 、◇ ◇◇ §◇毋牵零$ 频率(心z) 圈2 a1样5b在不l础≯瞄温度F的u’ 但再随着Bi嘎的增加．NiZnCu铁氧体的∥下降量变小．其原因为烧结过程中Bbq阻碍了材料 品粒尺寸的长太．使晶粒尺寸变小(2～5nm)且晶界面积增大，从而降低了材料的一值；②．材 化不大，可以说明材料在【嶙结温度范围内其显微结构是高稳定的：④．Cc·2z．Bi203的加入有 利于材料Q值的改善。 同时，随着Bin的加入、材料烧结温度的降低，—方面使NiZnCu铁氧 体材料内形成了多孔细晶粒结构，使材料更加适合于高频使用，另一方面有效地减少了材料内FP 的含量，使材料p值升高，有助于减小高频损耗。 参考文献 s11i蒯匝吼l哪m 【l|k咐岫i 12-JS面iSokai．JEE,州1994p．3 吼1蜘bn粗J枘08(1州口9}13 M”ⅫⅫ“鼬驴“JM噜刚8阻2【III删．96．