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2017-08-14 发布于安徽
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云南化工第：届大西南分析化学学会议论文专辑含C60高分子材料的xPS研究刘履华辛川 (中国科学院成都分院分析测试中心四川‘成都。610041) 鲁志华 (重庆市化工技工学校重庆市．41000) 擅妻甩Ⅺ葛分析了两种吉C∞的高分子材料加人不同浓度的舍藏基团后的变化。羹t谒台c∞高分子材辩台硫舞田)Ⅱ弓分析含C60的高分子材料是近年来很受重视的二、实验样品新型高分子材料。为了提高材料的稳定性、耐热性、光学及电学性能，常加入其它基团改性。 o；本文用x光电子能谱(xPs)分析研究了加人不／—、 Al、A2、A3——为用不同浓度的同浓度的OS03H的两种含c曲的高、—一／—、分子材料c田一NCH2CH2N及C∞一N ／—、 —的样品。下标1—3浓度由低到高；。＼√ o NCH3。文中根据XPS分析得出了、—√ N1S、S2P的结合能值、谱峰强度以及N／s原子／—、样品；比等随加入不同浓度的—0sqH的变化，并进行了有益的讨论。有关资料还未见文 B2、B2、B3一为用不同浓度的—：!夕献报导。一、仪器及测试条件标1—3为浓度由低到高。测试所用仪器为中国科学院沈阳科学仪器三、分析测试结果．研翩中心翩造的NP一1型X光电子能谱仪。 1．谱图及结合能值 X射线源为MgKa，功率为15KVX8mA。谱图图1与图2为未加与加入不同浓度。用计算机采集与解叠。结台能值用C1S 285．0ev校正。 NCH3(B o(A组样)和c60—No 10 ——————————————————j坠三!幽童坌堑些芏竺查堕圭主茎墨壹竺苎组样)样品的N1S、S2P谱图。裘l 黼A0 ^ Az Aa 岛 Bl ＆玛 113984398l ／／398．13981 398l ／ NIS2 ／400，O399739954∞O399939993999 3 602O40t ／ 91401-／／