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201 孔化与电镀Hole and
3秋季国际PCB技术／信息论坛 ProcessingPlating
N5000材料凹蚀工艺研究
Code：A-071
Paper
冷科 张利华
(深南电路有限公司，广东深圳518053)
摘要 文章对N5000材料的凹蚀进行了工艺研究，通过实验评估了玻纤蚀刻时间和等离子除胶
时间的影响，获得了产品厚径比设计为10：l时的批量凹蚀加工方法，解决了这种设计
的产品易发生的凹蚀不够和镀层打折缺陷，满足了N5000材料产品有高厚径比设计时
的凹蚀需求!
关键词 凹蚀；镀层打褶：芯吸
中图分类号：TN41文献标识码：A 文章编号：1009—0096(2013)增刊一0137—06
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ofetchback N5000
Study process
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Back；Plated
Key CopperDrape；Copper
J-‘‘’_一
I 刖旨
多层板的孔化工艺分为凹蚀工艺和非凹蚀工艺…，凹蚀工艺需要同时去除环氧树脂和玻璃纤维，使孔壁铜与
内层铜形成可靠的三维结合；两者的结合力大大增强，比非凹蚀工艺的二维结合要更加可靠。因此被广泛的应
用在航空航天和军用线路板中。
虽然凹蚀的三维结构比二维结构的结合力会有所增强，但是如果凹蚀过程控制不当，可靠性反而会比负凹蚀
工艺差，因为如果凹蚀量做得不够时(凹蚀量小于5“m时)，三维结构的结合力不会比二维结构的结合力有明显
提升；而凹蚀量过大时，有容易出现凹凸度很大的情况，这时候电镀的孔壁铜容易打折，打折的位置在高温焊接
的条件下极容易断裂；另外也会出现芯吸现象过大的现象，这种情况容易导致密集BGA区域不同的网络间出现电
子迁移诱发短路的问题，可靠性也会下降。因此通常需要将凹蚀量控制在5larn～80lam之间，最佳13“m：而凹凸
度需要控制在50
um以
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