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第十七届全国色谱学术报告会及仪器展览会会议论文集
P-C026
表面引发原子转移自由基聚合法制备聚N．乙烯基眯唑修饰毛细管
及其电泳性能研究宰
李静妒，刘霞8，蒋生祥a¨
8中国科学院兰州化学物理研究所，兰州730000
6中国科学院研究生院，北京100039
采用表面引发原子转移自由基聚合方法(SI．ATRP)在毛细管内表面形成聚N．乙烯基咪唑(PrO
层，从而制备出聚合物修饰毛细管电泳柱。通过对该毛细管电渗流考察表明，该聚合涂层可以有效
的掩蔽毛细管内表面硅羟基使得电渗流相对未处理毛细管有很的降低，并且由于咪．唑基团的特殊性
质可以实现在一定的pH范围内电渗流的翻转，电渗流的重复性也有很大的提高；对该毛细管柱的
分离效果研究表明，该毛细管柱可以实现对常见无机阴离子的快速高效分离。
关键词：N-乙烯基咪唑，表面引发原子转移自由基聚合，聚合修饰，毛细管电泳，电渗流
1 PVI修饰毛细管的制备 ．
剂形成均匀溶液，并将其引入毛细管，然后密闭毛细管，1300C下反应40h。最后用蒸馏水冲洗毛细
管可得聚N．乙烯基咪唑修饰毛细管。
2 PVI修饰毛细管电渗流性能表征
treated
研究考察了未处理毛细管(uncoatedcapillary)，硅烷化处理(silylationcapillary)和PVI修饰
毛细管(PVI．grated
capillary)内部电渗流随着背景电解质变化趋势。如Fig．3所示，通过硅烷化和聚合
修饰毛细管内部电渗流显著降低，这是毛细管内表面硅羟基被掩蔽的结果。另外由于咪唑基团的质
子化作用，使得在酸性条件下PVI层带正电，从而使得毛细管内表面净电荷为正，电渗流出现翻转。
8
一∞．≯)，N目∞。_×．!Io固Tl
3 4 5 6 7 8 9 10
values
pH
The treated
influenceofeleetroosmotic thebuffervaluesinthe and
Fig．1 flow(EOF)onpH uncoated，silylation
Robinsonbuffer：
PVI—grafted I．D，365岬O．D，L253．5em,l=45em,buffer：20mM
capillaryconditions：capillary：75“m
20mMRobinson at neutralmarker
buffer，voltage：+15／-15KV,detection：UV
214nm,Temperature：25‘C，DMSO
另外由于表面硅羟基被得到了有效的掩蔽，使得PVI修饰毛细管内部电渗流的重复性得到很大
’国家自然科学基金资助项目
”通讯联系人，蒋生祥，Emall：璺墨ji垫艘l圣坠：堑：璺n
第十七届全国色谱学术报告会及仪器展览会会议论文集
的改善。
3 PVI修饰毛细管柱在无机阴离子分离方面的应用
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