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电化学阳极氧化生长纳米晶光催化Ti02薄膜+
沈嘉年,宋江江,李凌峰
00072
(上海大学材料研究所 上海市延长路149号,2
E—mail:ji§!iiⅡ§2Q!!i!!:!n:£!,;
摘要Ti0:作光催4-E.tg,境净化材料的研究方兴未艾,各种纳米结构Tio,的制备技术也在不断
研究发展中.本文研究电化学阳极氧化方法在钛上制备纳米晶Ti02薄膜过程,研究表明,将
工业纯钛片暴露于电介质溶液并加一定电压,钛表面将氧化生长Ti02薄膜.适当控审5氧化电
压、溶液温度,可以得到非晶氧化膜,再进行控制条件下的晶化处理,得到锐钛矿相纳米晶
Yi0,薄膜。研究了电化学氧化过程氧化膜生长动力学,发现在O-807电压范囤内.氧化膜随
电压增加而增厚,在一定电压下氧化膜有一恒定的厚度,氧化膜厚度和氧化电流随时闸而逐
20—l5o℃.对电
步降低呈对数规律.DSC热分析测定表明非晶氧化膜的起始晶化温度约为1
化学氧化得到的非晶氧化膜进一步晶化处理表明,在150℃空气中处理约8小时,可得到部
o一5
分晶化的锐钛矿相TiO,膜.其晶粒度约在1Ohm。用TEN,X-g目射表征T10,薄膜的晶体形
貌与相结墙
关键词:电砣擘,二氧化钛薄膜,纳米晶
I.前言
Tlo!作为光催化环境净化材料的研究方兴未艾,Ti吼结构尺寸的纳米化,可以产生量子
化效应.大大提高催化活性I-20各种纳米结构Ti吨的制备技术在不断研究发展中。作为光催
化剂应用时.纳米Tm!粉体必须要解决易团聚及固定的难题,近年来发展了物理气相沉积
(PVD)制备Ti仉光催化薄膜的方法,它可以在玻璃等各种不同基体上沉积纳米晶Ti%薄膜,
但它也存在沉积速度慢,效率低,成本较高等不足。一些新的制备纳米结构Ti鸣思想和技术
也在不断研究发展中。
考虑金属钛暴露于氧化性电介质溶液中并加一定电压,钛表面将发生氧化-生长Ti0:
薄膜,目前对金属铝的阳极氧化过程研究较成熟,钛的标准电位为一1.63V,与铝相近卜
】.67V),并且它们的化学性质也较为相近,但钛阳极氧化过程的研究远不及铝与铝合金
的系统与深入.作为钛阳极氧化的一些基本过程如:氧化膜生长动力学?特别是与光催
。国家自然科学基金资助项目
F100
化有关的关键问题如:阳极氧化膜的晶体与相结构,光吸收特性等尚未认识掌握。。
同时对粉体的研究表明只有结晶良好的二氧化钛才具有光催化活性。固此考虑阳极
氧化膜咀光催化为应用背景时,需要认识阳极氧化得到的非晶Ti
02膜的晶化将非晶转
变为纳米晶过程和伴随的从锐钛矿向金红石相变过程。
2.实验过程与方法
以工业纯钛片作氧化样品,以同种钛片作对电极.样品厚度约03tm,表面积约3era:。
电fr质溶液以磷酸为基本成分,由恒温水浴控制溶液温度。氧化电源为交流调压式稳压电源.
将电化学氧化后的样品用HCl+NaF溶液溶解基体金属,制各透射电镜薄膜样品,咀观
察分析二氧化钛薄膜的晶体形貌与相结构。
用椭圆偏光仪和涡流测厚仪测定氧化膜厚度。
3.实验结果与讨论
3.1Ti如薄膜生长动力学
氧化电压为80V的氧化膜生长动力学曲线如图1所示,开始氧化膜生长较快,随时间逐
渐减慢.到一定时间后氧化膜基本不再增厚,达到恒定厚度。其它氧化电压下的动力学也具
类似的规律,
假设离子(Ti“.(}。)通过氧化膜迁移是Ti%膜生长的限制步骤,氧化膜较薄时,膜中存
在很大的电位梯度E懂离子迁移的势垒下降.根据Mott理论5离子电流i。为
ito.=A‘exp(ZaeE/2kT)
,℃中z——离f的价数:a——势垒的谷问距,
图‘1..Tiq膜电化学氧化生长动力学,氧化电压80V,交流电,a)膜厚度随氧化时间变化:b)
氧化电流随时闻变化。
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