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第 卷 增刊 低 温 物 理 学 报
0/ CDE +0/
年 月 #FG49H9 I$J84K $L K$M 79NO987J89 OF!HG#H ,
0))1 () $5P + 0))1
单畴熔融织构!#$% ’ 样品
的生长工艺研究!
焦玉磊 肖 玲 任洪涛 郑明辉 陈云霞
北京有色金属研究总院,北京 ()))**
本文研究了用冷籽晶技术制备掺 单畴熔融织构 超导块材的工艺 通过引入有
’ !#$ +
效的隔离层避免了籽晶的熔化 使用纯 粉作为隔离层的材料,并探索出同时施加两个隔
+ !(+ *
离层的方法+ 对施加隔离层后大块单畴!#$% ’ 样品生长窗口的研究发现,加入隔离层后
使慢降温上限温度升高, 到 是 系单畴生长的主要窗口 制备的直径
,-). ,//. !(01% ’ +
单畴超导块材的磁浮性能已达到 0 ( , )认为如果进一步提高熔化温度
0233 (04% 53 --6 ) + /7 +
或延长保温时间将有助于抑制自发成核+
( 引 言
熔融织构89:;:#:$ 单畴超导块材具有很高的临界电流密度,可以俘获较大的磁场,
受到许多实际应用项目的极大关注 这些材料属陶瓷类,具有本征的脆性,因此机械强度较
+
[] []
( 0
差 研究表明通过添加 可以有效地增强超导材料的机械性能和抑制微裂纹 ,而且
+ ’ ’
在替代(01 晶格中的铜位后并不降低超导体临界转变温度+
[]
1
最近, 等人 研究了 体系中的相关系,发现随着 含量增加到准偏
4;=;3; !(01% ’ ’
晶成分 的生成温度单调地下降到约 ,在 晶体生长过程中,发生了偏晶包晶
!(01 ,-) . !(01 :
反应 尽管添加 降低了 相的包晶反应,但是在熔融织构工艺中要求材料必须进入半
+ ’ !(01
熔化状态,以利于 相充分分解,因此熔化温度不能太低 例如,当 系统的最高
!(01 + !(01% ’
熔化温度为())) .
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