MEMS应用中的TiN薄膜工艺的研究.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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MEMS应用中的TiN薄膜工艺的研究.pdf

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第19卷第5期传感技术学报 V01．19No．5 2006年10月 CHINESEJoUlcNAL0FsENsoRsAND埘ru蛐DRS Oct．2006 TiN forMEMS Membrane Applications YANG Meil“，SHUQion91，CHEN Jin91，2。，LCollegeofMicroelectronics，Be(1ingUniversity，Be(iing100871，吼ina’ 、＼2．State Transducer 200050，China／ KeyLaboratoryof Technology，ChineseAcademyofScieuces，Shanghai membraneforMEMS isstudied．Themembraneis reactiveRF Abstract：TiN applications depositedby theinfluenceofcritical asration to sputtering，and processparameters，suchargongas nitrogengas、gas TiNfilmstressisalso is affectionofdifferent conditionson investigated．The annealingprocess pressure researched，lOW offilmcanberealized．Furthermore，theand temperatureannealing etching characteristicsofTiNfilmare tothewet resultsofTiNfilm，TiNisanti— etching investigated．Recording inroom rateofSiCfilmwetand etch aremeasured．Itisread— erosion temperature．Etchby dry techniques forMEMS Y applications． Keywords：MEMS；TiN；sputtering；stress；annealing EEAOC：2575；0520 MEMS应用中的TiN薄膜工艺研究杨梅h2，舒琼1，陈兢1’2+ (1．北京大学微电子学研究院，北京100871；2．中国科学院传感技术联合国家重点实验室，上海200050) 摘要：运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备，通过改变关键工艺参数，如氩气氮气比、气体压力等，研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响．论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响，可以实现薄膜低温退火．论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究，对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况，得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性，并得到干法和湿法刻蚀速率．为TiN材料的MEMS应用打下了基础．关键词：TiN；溅射；应力；退火中图