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2017-08-13 发布于安徽
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Zno薄膜的结构与发光性能研究.pdf

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第30卷增1 压电与声光 Suppl．No．1 2008年6月 PIEZoELECTECTRICS＆ACOUSTOOPTICSJu轧2008 文章编号：1004—2474(2008)S1-0085。03 ZnO薄膜的结构和发光性能研究陈心满，阮凯斌，梁通，伍广亨，包定华 (光电材料与技术国家重点实验室中山大学物理科学与工程技术学院．广东广州510275) ZnO薄膜的结晶、微结构及发光性能的影响。研究表明。ZnO薄膜呈多晶特征．随退火温度升高，晶粒尺寸增大．c 轴长度逐渐减小．而薄膜平面应力从压应力转变为张应力，应力松弛温度约620℃。室温光致发射谱测量显示．由于结晶性能改善及内应力的作用，ZnO薄膜的近带边紫外发射(～390nm)增强且发生红移，当退火温度高于 700℃时．绿光峰增强，这与薄膜高温处理下产生大量氧空位缺陷有关．关键词：ZnO薄膜；Sol-Gel法；退火}光致发射}内应力中图分类号：TB34 文献标识码：A StructureandLuminescentofZnOThinFilms Properties CHENXin-man，RUANKai-bin，LIANG Tong，WUGuang-heng，BAODing-hua Lab．of Materialsand of and (StateKey Optoelectronic Technologies·SchoolPhysicsEngineering， SunYat-Sen 510275．China) UniversitytGuangzhou ZnOthinfilmswerefabricatedonsiliconsubstratesSoI-GeImethodZn AbstractlPolycrystalline by using asrawmaterial．andthe effectson andlgminescellt (CH3C0。)l·2H20 annealing crystallization，microstructure thinfilmswere of ofZnO increasing temperature，enhancementerystallinity properties investigated．Withannealing wasconfirmed CaxisofZnOthinfilmsWflSreduced of ZnOthinfilms diffraction，thecalculated hexagonal byX-ray of identified． andthetransformationof stressfilmsfromthe tOthetensileataboat620℃was in-plane compressive The wereobtainedatroom emission(～390rim) photoluminescencespectra