多层片式电感器NiCuZn铁氧体掺杂MoO-%2c3-对烧结性能的磁特性的影响.pdfVIP

多层片式电感器NiCuZn铁氧体 掺杂M003对烧结性能和磁特性的影响+ ■耍本文讨论r多层片式电感器的NiCuZ,n铁氧体掺杂M003对烧结性能和磁特性的影响。 丈中指出．接杂MoO，的月的是为了降低NiCuZn铁氧傩的烧结温度和磁损耗。松密度聊随 着MoO，舔加最而增加、且添加量在0．2wt．％时，初始导磁率达到量大。 1引言 近来．适用于电子器件小型化(如多层片式电感器)的表面贴装技术(SMT)F,得到高速 发展，多层片式电感器是将铁氧体涂层和电极层交替迭合，并通过烧制而成【lJo由于使用 Ag作为电极材料，经高温烧制，由于铁氧体和Ag电极闻会相互扩散而导致磁特性的降 低，此外．多层片式电感器在高频率范围内需要有稳定的初始导磁率和低的磁损耗11心。 因此．有必要降低多层片式电感器用的NiCuZn铁氧体的烧结温度。Mo在元素周期表中 与w同旅．其氧化物MoO，是一种可有效降低磁损耗的添加物，其熔点低于NiCuZa铁 氧体的碘犁烧结温度脚。因此，我们将MoOa加入到NiCuZn铁氧体中用于降低烧结温度 和磁损耗。奉文研究了添加了MoO,的NiCuZn铁氧体的烧结性能和磁特性。 2实验 NiCuZn铁氧体【(Njc№2Zno．60)1∞(Fe2 为投产材料．用阎态反应法备制而成。这些化学成分以化学计量理想配比混合并将混台 的粉沫以750。C的温度烧制2个小时，直到成为尖晶石状钫。将所得到的铁氧体粉辣再与 MoO，(02～1．0wt．％)混合。在这些混台的粉涞中掺人PVA粘舍剂井制成环形(外径：15mm． 内径：8mm)和网盘形汐}径：8mm)试样。将这些斌样在空气中以900℃和850℃的温度下 烧结5个小时。初始导磁率利用用2MHzLF阻抗分析器测得的电感算出。而复导磁率则 用频率范丽为lOOkHz～500M／-／z的网络分析器测得。用扫描电子显微镜(SEM)：和透射电 子显微镜(TEM)对试样的断裂的或热蚀表面进行显微结构的检查。 +S．HSeo andJ．H．Oh“Effectof Behaviorsand of Properties MoO，Additi∞0171Slatting Magnetic NiCuZnFertile for MultilayerChipInductor‘．IEEE 1999(徐．辜译，是尔法较) 164— 3结果及讨论 在900：和850℃的温度烧结5小时后的松密度随添加物的分量有所增加。当烧结温度为 氧体上的TEM同彖及其晶界的电子衍射图象。图2中，暗区域和亮区域分男唾表示晶粒和 品界，该电子衍射图表示为一个宽的环形图，意指在晶界处存在液相f4l。而且．晶界中的 Mo可用能量弥散x．射线(EDx)分析来确认。因此，可以估计，松密度的增加应归囡于在 的显微结构。随着添加物的增加，可以明显地观测到晶粒反常生成。因为大囊粒的可溶 度较低而小颗粒的可溶度较高．把最初粉沫混台物中的大颗粒作为快速晶粒生成的晶种 ”o因此，晶粒反常生成可能是由以上原因所致。众所周知，晶粒反常生成一般会在晶粒 内部形成紧密的孔隙。在添加MoO，后NiCuZn铁氧体中晶粒反常生成发生时，可观测到 氧体的初始导磁率和复导磁率虚部的变化情况。含有0．2wt．％M003的NiCuZn铁氧体呈 现的初始导磁率最高。这是因为平均晶粒的尺寸增大，而紧密孔隙尚未形成。由于紧密 孔隙妨碍了畴壁的运动，当晶粒内存在紧密孔隙时，初始导磁率会降低旧。因此．添加MoO， 后初始导磁率会降低。与磁损耗(剩磁损耗)成正比的复导磁率的虚部也会因添加Mon而 降低。 4结论 我们研究了NiCuZn铁氧体掺杂M003对烧结性能和磁特性的影响。掺杂M003可降 低NiCuAn铁氧俸的烧结温度和磁损耗。掺杂M峨还可提高松密度．且掺杂0．2wt．％MoO， 的NiCuZn铁氧体表明初始导磁率最高。这些结果有利于降低生产费用，并可用于多层片 式电感器。 ^．E-马倒懈鞋 MoO，舔加物(wt钉 罔I 添加Moq的州kcll0卫～‘o)。州旺b0，k_铁氧体在空气中以