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宽带微波MEMS开关 朱健林立强林金庭吴汉俊陈新宇 (南京电子器件研究所，南京．210016) 摘要本文论述了微波MEMS开关的设计和制造工艺。开关为～薄金属膜桥组成的桥式结 构，形成一个SPST并联设置的金属．绝缘体．金属接触。开关通过上F电极之间的静电力进行控 1．14GHz 制，其插入损耗及隔离性能取决丁开态和芙态的电容。微波MEMS开关在“开”态F 夫于13dB。在18-20GHz时隔离人于16dB。 关键词微电子机械系统微波开关 WidebandMicrowave MEMSSwitch Zhu Lifl Lin Wu Chert jian 1iqiangJintingHanjun xinyu E1ectranicDev】CeS (Nanjing lnstitute，Nanjing．210016) Abstract ThedesiznandfabricatiOffofawidebandmicrowaveMEMSSWitchiSdescrjbed．The of elementcansistsa thiflmetalliCmembrane．whichhasthemetal— SWitching isolator—metalcontactwitha shunt asSPST．WhenanelectrustatiC smitch eapacitive iS the to membraneandthe attractive potential bettom applied electrode，the the electrostatiCforceDu儿s metalmembranedown thebuttomdielectricTheSWitch onto characteristiCSof lOSSand Lance insertiOffiSOlatiOilare ontheoffandOffeapaci depended The testresultS asfollOWS：insertionIOSSoftheswitchiSleSSthan0．72dBat卜 14GHzand 1．18dBat i of iS at 18—20GHz．theSOlatjontheSWjtchmorethan13dg14一J8GHz and16dBat18—2011Hz． MEMS Mi Keywords WidebanderowaveSwitch 一 引言 MEI¨S开关与FET或PIN二极管开关相比．其优点是：①消除了由欧姆接触引起的微波损耗， 取而代之的高导率的金属结构可以超低损耗传输RF信号。②消除了由半导体结引起的I—v非线 性，可极大地改善了失真特性(无谐波或调谐失真)．提高电源控制能力。③是可以I。作于极宽 的频带。因此，ME惦开关特别适刚