MOPCVD硬膜技术研究.pdfVIP

第 22卷第 2期 机 械 工 程 材 料 Vo1．22 No．2 1998年 4月 M aterials for Mechanical Engineering A口r．1998 MOPCVD硬 膜 技 术 研 究 赵 程’ (青岛化I学院表面技术研究所 山东青岛 7 摘要 在MOPCVD-Ti(CN)膜 的沉积过程中，沉积温度是一十重要的工艺誊数 。当沉积温度低时， 虽然沉积速率高但膜 的硬度低。而当沉积温度高于一定值后 ，碳化 了的金属有机化台物阻止膜的继续生 长 由于MOPCVD—Ti(CN)膜是 由Ti(CN)和一些有机化合物碎片组成 ，膜的硬度也低于用PCVD法制 喜的Ti(cN)膜 ，所以用MO~VD法制备的Ti(cN)膜只能属于一种类Ti(cN)膜 主题词 金属有机化旮物 等离子体 多掌互相盈 表面工程 一1，n — — — — ～ ====； ～ 一 L V StudyofHardCoatingsPreparedbyM OPCVD zhao Cheng (Qi“gdaoInstituteofChemicalTechnology QingdaoShandong 266042 PRC) Abstract Ti(cN)coatingspreparedbyMOPCVDusingTi[N(CH )2]a‘sprecursorarenivesti— gated．Theresultsindicatethatthedepositiontemperatureisanimportantparameterinthedeposition process．Lowering deposition temperature can increasethedeposition rate butdecrease thecoating hardness．1 thedepositiontemperatureishigherthan acertaintempe raturetthecoatingw illnotbe formedonthesubstrate．MOPCVD—Ti(CN)coatingsareonlyakindoflike—Ti(CN)coatingsbecause someorganicfragmentsareincorporatedinthecoatings．That’swhyM OPCVD-Ti(CNIcoatingsare softerthantheTi(CN)coatingspreparedbyPCVD．Itisoneofthemani reasonstolimittheapplica— tionofcoatingspreparedbyMOPCvD、 l 引言 2 (MO)PVCD中常用的金属化合物 等离子体化学气相沉积硬膜技术(pCVD技术)的 TiC1t、Ti~(CI-h)：CHO]和TiEN(CHs)]．是三种 研究始于 8O年代初期 它综合 了物理气相沉积 可用于 (MO)PCVD技术中作为反应气体的最有代表 (PVD)和化学气相沉积 (CVD)之优点，是一种很有发 性且饱和蒸气压比较高的金属化台物，其主要物理化 一 展前途的金属表面强化技术 。。 学性能