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SOINMOSFET的双峰及辐射效应研究.pdf
Vol. 32,No. 6 JournalofSemiconductors June2011
Doublehumps and radiation effects of SOINMOSFET
Cui Jiangwei(崔江维) ,YuXuefeng(余学峰) ,Ren Diyuan(任迪远) ,
He Chengfa(何承发) ,Gao Bo(高博) ,Li Ming(李明) ,and Lu Jian(卢健)
XinjiangTechnicalInstitute of Physics Chemistry,Chinese AcademyofSciences,Urumqi830011,China
XinjiangKey Laboratory of Electronic Information Materials and Devices,Urumqi830011,China
GraduateUniversity of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049,China
Abstract: Radiation experiments have been carried out with a SOI NMOSFET. The behavior of double humps
wasstudiedunderirradiation.Thecharacterizationofthehumpwasdemonstrated.Theresultshaveshownthatthe
shapeofthehumpchangedalongwiththetotaldoseandthereasonforthiswasanalyzed.Inaddition,thecoupling
effectoftheback-gate transistor was more important for the main transistor than the parasitic transistor.
Keywords: SOI;radiation;double humps
DOI: 10.1088/1674-4926/32/6/064006 EEACC: 2520
aremeasuredbeforeandafterirradiationwithasemiconductor
1. Introduction
parametricanalyzer,HP4142, of pA current accuracy.
The test after each irradiation was within 20 min to avoid
Silicon-on-insulator(SOI)deviceshavemanyinherentad-
the annealing effects of the oxide traps and the interface traps
vantages over bulk-silicon devices, such as high velocity and
generatedduring irradiation.
density,lowp
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