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我国改良西门子法多晶硅生产技术进展.pdf

第3l卷第4期 丘洛布色金属 V01.3lNo.4 201 0年12月 SHANGHAINONFERROUSMETAL$ Dec. 1 20 0 文章编号:1005—2046(2010)04—0167—04 我国改良西门子法多晶硅生产技术进展 严世权1,叶芸华2 (1.上海市有色金属学会,上海200070;2.上海九。一厂,上海201600) 摘要:简述了近几年我国改良西门子法多晶硅的技术进展,列出了大部分已建和在建多晶 硅厂(公司)。文中给出了多晶硅产量、电能单耗和SiCl4热氢化的一些数据,并指出-3前生 产中存在的一些问题。 关键词:改良西门子法;多晶硅;一次转化率;生产 中图分类号:TN304.1+2文献标识码:B ofModifiedSiemens for Progress Technology Producing in SiliconChina Polycrystalline YAN Yun—hua2 Shi.quanl,YE SocietyofNonferrous 200070,China; (J.Shanghai Metals,Shanghai No901 201600,China) 2.ShanghaiFactory,Shanghai ofthemodifiedSiemens for Abstract:The siliconinChina progress technologyproducing polycrystaUine WaS the therecent reviewed.Factories werelistedwiththedatafortheir during years usingtechnology electric and of with outputs,unit hydrogenationSiCl4 consumptions given.Meantime,problemsexisting the were out. productionpointed Siemens words:modified silicon;one—timeconversion Key technology;polycrystalline rate;production

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