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华 侨 大 学 数字集成电路设计 试 卷 A(期末,开卷)
班 级: 考试日期 2011 年 月
日
姓 名:________________________学 号__________________________
所有答案按顺序填写在答卷纸上
一、填空题(30%)(计算精确到小数点后2位,或者3 位有效数字;每空2分,有单位的请写明
单位,否则扣1分)
1.三态门的三个状态分别是:( 1 ),( 2 ),( 3 )。
2.互连线由电阻率为ρ=4µΩ·m, 线的厚度为 0.5µm,宽为0.8µm,长100µm的导线电阻R=
( 4 )。
3.互补MOS(CMOS)采用两种类型的MOSFET构建逻辑电路,一种是( 6 )
MOSFET;另外一种是( 6 )MOSFET。
4.如果一个反相器的输出端连接4个同样的反相器,那么它的电气努力是( 7 )。假设
忽略寄生电容的对延迟的影响,即无负载电容时延迟为0;如果它的电气努力是1时的延迟是1ns,
那么以上电路的延迟时间是( 8 )。
5.以下SPICE语言所描述的nMOS晶体管的单位面积栅氧电容Cox=( 9 ),其中
ε = 3.453×10−13 F/cm;源极的零偏置电压的结电容C =( 10 );等效开关电阻 R=
SB n
ox
( 11 );
******************* Spice 网表 ************************
Vdd ndrain 0 5V
Vgs ngate 0 5V
Mnmos ndrain ngate 0 0 nFET L=0.5U W=4U AD=12P PD=12U AS=12P PS=12U
.Model nFET NMOS (KP=150U VTO=1 TOX=1.25e-8 CJ=8.5e-4 CJSW=2.5E-10)
******************* Spice 网表 ************************
6. 求以下数字的波茨编码(BoothCoding),若二进制补码A则它的波茨编码为
6 4 2
B=( 12 )X 2 +( 13 )X 2 +( 14 )X 2 +( 15 )。
二、问答题(15%)
(1)集成电路中双极器件和单极器件的定义分别是什么?
(2)方块电阻的定义是什么?它的单位是什么?
(3)有比电路和无比电路的定义分别是什么?
三、综合题(55%)
2
1. 图1为阻性负载的反相器电路。电源电压VDD为5V,MOS管的工艺互导为20uA/V ,阈值电
压为0.8V,负载电阻RL为200K,W/L=2。计算该反相器的传输特性数值(VIL,VOL,VIH,
VOH)及电路的噪声容限,并在此基础上评价该反相器的设计是否最优。(11分)
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图11
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2. 在有一个用相同NMOS管的NAND3门,管子宽长比为5:1。NMOS的工艺互导为120uA/V ,
阈值电压为0.65V。电路的电源电压为5V。求输入同时切换情况下中点电压为2.8V的这个门
所需要的PMOS的器件互导值。假设PMOS的阈值电
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