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2_5GHz低相位噪声LC压控振荡器.pdf
第 38 卷第 3 期 微 电 子 学 Vol38 , No . 3
2008 年 6 月 Micr oelect r onics J un2008
2 . 5 GHz 低相位噪声 L C 压控振荡器
韩 斌 ,吴建辉
(东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心 , 南京 2 10096)
μ
摘 要 : 在 0 . 35 m Si Ge BiCMOS 工艺条件下 ,设计了一个全集成的低相位噪声 L C 压控振荡器
(VCO) 。该 VCO 采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制 , 以减小尾电流源产生的噪
声 。该 VCO 的调谐范围为480 M Hz ,可以覆盖 2 . 32～2 . 8 GHz 。当振荡频率为 2 . 5 GHz 时 ,100 k Hz
和 1 M Hz 频偏处的相位噪声分别为 - 104 . 3 dBc/ Hz 和 - 124 . 3 dBc/ Hz 。振荡器工作电压为 5 V ,尾
电流为 5 mA 。工作在 2 . 5 GHz 时 ,其 100 k Hz 频偏处的性能系数为 - 178 dBc/ Hz 。
关键词 : 压控振荡器 ; Si Ge ; BiCMO S
中图分类号 : TN752 文献标识码 : A 文章编号 (2008)
A 2 . 5 GHz L C Voltage Controlled Oscillator with Low Phase Noise
HAN Bin , WU J ianhui
( )
S out heas t Uni vers ity , N at ional A S I C S y s tem Eng i neeri ng R esearch Center , N anj i ng 2 10096 , P. R . Chi na
A fully int egrat ed L C volt age cont rolled o scillator ( V CO) wit h low p ha se noi se was designed u sing
Abstract :
μ
0 . 35 m Si Ge BiCMO S t echnolo gy . In t hi s V CO , in st ead of conventional t ail current source , t ail resi stor st ruct ure
wa s u sed for current cont rol to reduce noi se of t ail current source . The V CO ha s a t uning range of 480 M Hz , which
i s f rom 2 . 32 GHz to 2 . 8 GHz , and achieves low p hase noi se of 104 . 3 dBc/ Hz and 124 . 3 dBc/ Hz at 100 k Hz and
1 M Hz off set f requency f rom 2 . 5 GHz carrier . The o scillator
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