PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗.pdfVIP

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2017-08-12 发布于江苏
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PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗.pdf

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PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗.pdf

第卷第期功能材料与器件学报 $ a=@0 $/ F=0 年月 ’## 4 ^5_‘FOI 5\ \_F.L5FOI 7O.H‘LOIQ OF8 8HaLHQ 7J2UM/ ’## 文章编号 ) * ! ##$ % ’(’ ’## # % ## + % #( ,-. 陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗 ’ ’ 贺连星李承恩陈廷国王志勇晏海学 / / / / （中国科学院上海硅酸盐研究所，上海； 0 ’###(# ’0 中国科学院上海冶金研究所，上海 ’###(# ）摘要! 采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 ,1 ) -2# 0 $.3# 0 4 * 54 ) ,-.$4 * 和,1 ) -2# 0 4.3# 0 $ * 54 ) ,-.4$ * % ’ （）的两种陶瓷的内耗及振动频率的平方正比于材料的剪切模量与温度的关系进行了 ! 6 测定。在纯三角相的陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰起源于材料的顺电铁 ,-.$4 ,7 % 电相变低温内耗峰本质上是一个宽化的峰，可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。 / , 891:9 # 对纯四方相的陶瓷，除了和峰外，在与峰之间另有内耗峰，这与畴附 ,-.4$ , ,7 , ,7 ,’ ;# （）近的氧空位团簇的弛豫有关其特征可用描述强关联系统的关联态模型描述。