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成都理工大学试卷三 《电子系统设计》考试试卷 评分标准与参考答案 大题 一 二 三 四 五 总 分 得分 一、填空(20分，每空1分) 1、请列出至少三个电容器的用途：隔直流、旁路（去耦）、耦合、滤波、调谐、储能等。 2、根据滤波器的选频作用，滤波器可分为 低通 滤波器、 高通 滤波器、 带通 滤波器、 带阻 滤波器等四种。 3、EEPROM存储器掉电后，其内部数据将 不变 。 4、MCS51单片机的CPU是 8 位。 5、静态存储器比动态存储器的存取速度 快 。 6、并行接口与串行接口相比， 并行接口 的传送速率高。 7、选取DAC，首先应该考虑的是DAC的 转换精度 和 转换速度 。当然也需要考虑其他要求，如电源、基准电压、输入缓冲、输出模式、工作控制、温度稳定性、功耗、封装和成本等。 8、锁相环由 鉴相器（或相位比较器） 、 环路滤波器 和 压控振荡器 三部分组成，环路锁定时输出信号的频率与输入信号的频率 相同 ，而两者的相位差为 0 。 9、在以AT89C51单片机为核心的系统设计中，通常在其I/O口上加上拉电阻，该上拉电阻阻值一般选为_1～100kΩ_。（10K均算正确） 10、一个12选1的数据选择器，其地址输入端有 4 个。 二、选择题(10分，每题2分) 1、MCS51读写数据通过 A 并行口传送。 A.P0 B.P1 C.P2 D.P3 2、如要将一个最大幅度为5.1V的模拟信号转换为数字信号，要求输入每变化20mV，输出信号的最低位（LSB）发生变化，应选用 B 位ADC。 A 6 ； B 8 ； C 10 ； D 12 3、与TTL门电路相比,CMOS门电路 A．制造工艺更复杂 B．成品率低 C．功耗较小?????????? D．不能使用高于5V的电源存储容量为8K×8位的ROM存储器，其地址线为条。 、一个八位DA的最小电压增量为0.01V当输入代码为0010010 时，输出电压为V。 三、简答题(20分，每题5分) 1、选择电阻器、电容器时需要考虑的主要技术指标各有哪些？ 电阻器：阻值，功耗，精度，材质，封装等；（只要给出阻值，功耗，精度给满分2.5分） 电容器：容值，耐压，精度，封装等。（只要给出容值，耐压，精度给满分2.5分） 2、简述消除键盘抖动的硬件、软件方法各一种。 硬件去抖：并联电容，或加入RS触发器 D1、D2为保护二极管，限制输入幅度0.7V；D3、D4限制输出幅度0.7V。 4、简述继电器的工作原理，并简述为什么要在直流继电器线圈两端并联一个二极管？ 继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。这个二极管叫续流二极管它的作用是当继电器线圈断电时,继电器线圈将产生一个自感电动势二极管为这个电动势提供通路以免损坏继电器和其它的电子元件D2 或D4 断开时负载电压的波形。如果D2 或D4 接反，后果如何？ 解：当D2或D4断开后： 电路为单相半波整流电路。正半周时，D1和D3导通，负载中有电流过，负载电压uo=u；负半周时，D1和D3截止，负载中无电流通过，负载两端无电压， uo =0。（5分） 如果D2或D4接反：则正半周时，二极管D1、D4或D2、D3导通，电流经D1、D4或D2、D3而造成电源短路，电流很大，因此变压器及D1、D4或D2、D3将被烧坏。（5分） 2、某数控放大器增益电路如图3所示。请分析其工作原理，并求出放大器的增益。 由于网络电阻按1-2-4-8倍数值设置，故网络Rin和Rout间的等效电阻为REQ＝0.25×(N的反码)（MΩ），式中N为数控二进制数DCBA的二进制值，如当输入的数控二进制数DCBA＝0000B时，SW1～SW4全部断开，网络Rin和Rout间的等效电阻最大，为4MΩ。（5分） （5分） 五、设计题（30分，每题10分） 1、某微处理器为低电平复位有效，请设计其上电复位和按键复位电路（要求上电复位时间常数不小于10ms），并简要说明。 上电复位时间常数为1k×10u＝10ms 2、在设计键盘接口时，主要需要解决以下几个问题：检测是否有按键按下；判别是哪一个按键按下；按键抖动消除以及有多个按键按下的处理等。某中断方式的行列式键盘接口如图4所示，画出按键中断检测的流程图。假如图中按键“2”已按下，请简述如何判断闭合键键号的。 中断子程序流程图（5分） 判断闭合键键号（5分）：