射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响.pdfVIP

下载本文档

5
0
约3.94万字
约 5页
2017-08-11 发布于湖北
举报
版权申诉

射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响.pdf

: 鲁媛媛等射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响０３０３３文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０３Ｇ０３０３３Ｇ０４射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响∗ １１１２２ , , , , 鲁媛媛李贺军杨冠军蒋百灵杨超　 ( , ; , ) 西北工业大学材料学院西安西安理工大学材料学院西安１．７１００７２２．７１００４８ : 摘要于不同射频功率下制备出非晶膜并对其　　 Si 实验２　　 , 、进行真空退火处理采用XRDTEM和少子寿命测试仪等检测手段分析了退火前后薄膜的微观结构及电学采用射频电源为１３．５６MHz的单腔PECVD设备 . , , , , , 性能研究发现随着射频功率的增加薄膜的中程有于单晶硅衬底上制备了射频功率分别为２０４０７０ . , . 序度和少子寿命均呈先增后减的趋势经真空退火处和的非晶膜以硅烷和氢气１００１３０１６０W Si , , (( ) ( ) ) 理后非晶硅膜得以晶化少子寿命较退火前有大幅提 V SiH ∶V H ＝１５∶１３５的混合气体作为沉积４２ ; , . 、、高另外退火后薄膜的晶化率和少子寿命随射频功率的气源基片温度工作压力沉积时间分别为 , 、、 . 的变化趋势与退火前一致说明同一热力学条件下薄２００℃ １５Pa６０min 膜的中程有序度越高越容易发生晶化. 将不同功率条件下制得的膜进行真空退火处 Si : ; ; ; ; , . 关键词硅膜射频功率真空退火微观结构少子理以改变其微观结构退火条件为真空度　－４