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低铅压电陶瓷的制备与其介电压电性能研究.pdf
V01．40
第40卷增刊 电子科技大学学报 Suppl．
Journal ofElectronicand ofChina
2011伍4,q ofUniversity ScienceTechnology Apr．2011
低铅压电陶瓷的制备与其介电压电性能研究
李紫源，何子均，肖定全，吴文娟，朱建国
(四川大学材料科学与工程学院成都610064)
低铅压电陶瓷；研究了组分比蹄烧结温度对该陶瓷体系介电和压电性能的影响．XRD分析表明，随着烧结温度的升高，陶瓷
好的介电压电性能，在间．75，烧结温度为l
250℃时。如=182pC小，蔚-34．5％，居里温度为165℃．
关键词介电性能；KNN；PZT；Pb(MnI／3Sbw)O,：压电性能
中图分类号048 文献标识码A doi：10．3969／j．isan．100l-0548．2011．z1．003
andElectric ofLow—Lead
Preparation Properties
mics
PiezoeIectricCera
LI
Zi-yuan，HEZi-jun,XIAODing-quan。WUWen-juan，and删Jian-guo
ofMaterialsScience
end
(College Engineemg,SichuanUnivet3ityChmgdu610064)
Abstract low·lead
ceramics the withJand
were conventionalceramicsfabrication
preparedbyusing technique．Theproperties
reSUIts transformfroma
wercstudied．Theshowthatthe oftheceramics
sinteringtemperature crystallinephases
statewith andorthorhombicstructureto structurewhen
coexisting pyrochlore pcrvoskite puretetragonalpervoskite
Nceramics dielectricand
increases,and矗叶ⅥS-(1—崔)KNI
sinteringtemperature possessgood piezoelectric
x=0．75 sinteredatl 250℃．
ceramicswith
properties：the possessd33=182pC／N，萨34．5％，and孕165℃when
wordsdielectric
Key
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