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光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟.pdf
第 36 卷 第 5 期 湖 南 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) Vol . 36 ,No . 5
( )
2 0 0 9 年 5 月 Journal of Hunan University Natural Sciences May 2 0 0 9
文章编号 (2009)
光敏 BJMOSFET 的物理模型及数值模拟
曾 云 ,谢海情 , 曾健平 ,张国梁 ,王太宏
(湖南大学 物理与微电子科学学院 ,湖南 长沙 4 10082)
+ (
摘 要 :基于 SO I 薄膜 ,提出一种引入 P N 注入结的光敏BJ MO SF E T Bipolar J unction
Met alOxideSemiconductor Field Effect Transistor) 结构. 在此光敏器件中 ,栅电压使薄膜耗
尽但不反型 ,光生载流子的复合可以忽略. 根据基本的半导体方程 ,建立该器件的物理模型.
数值模拟结果显示 :在光敏 BJ MO SF E T 中 ,光生电子和空穴都参与导电,和传统的 MO S 管
相比具有较高的灵敏度. 此外 ,它能消除 CMO S 工艺下 PN 结大的暗电流 ,完全与 CMO S 工
艺兼容.
关键词 :光电晶体管 ;BJ MO SF E T ;物理模型 ;数值模拟
中图分类号 : TN 364 文献标识码 :A
Physical Model and Numerical Simulation of PhotoBJ MOSF E T
ZEN G Yun ,XIE Haiqing ,ZEN G J ianping ,ZHAN G Guoliang ,WAN G Taihong
(College of Physics and Microelectronics Science , Hunan Univ , Changsha ,Hunan 4 10082 ,China)
Abstract :A novel st ruct ure of BJ MO SF EU adding P + N inj ection on t he Semiconductor on Insulator ( SO I)
film was developed . In t his device , recombination of carrier s was ingnored due to operating in depletion region .
It s p hysical model was p resented based on st andar d semiconductor equation . N umerical result s indicate t hat t he
p hotongenerated elect ron and p hotongenerated hole are bot h t he carrier s in p hotoBJ MO SF E T , t hus it is more
sensitive t
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