双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性.pdfVIP

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2017-08-10 发布于浙江
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双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性.pdf

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36 2 Vol. 36 No. 2 第卷第期发光学报 2015 2 Feb．，2015 年月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE 文章编号:1000-7032 (2015)02-0213-06 双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性 1 1 ，2 * 3 ，，莫淑芬刘玉荣刘远 (1．， 510640 ; 华南理工大学电子与信息学院广东广州 2 ．， 510640 ; 华南理工大学国家移动超声探测工程技术研究中心广东广州 3 ．， 510610) 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广东广州摘要: (ZnO-TFT) (I )， (I / I )，为降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流 off 提高开关电流比 on off 采用磁控溅射法制 (SZO-TFT) SZO / ZnO TFT ， Si SZO 备掺硅氧化锌薄膜晶体管和双层有源层结构的器件研究了含量对薄膜透 SZO-TFT ， TFT 。 ZnO-TFT ，SZO- 光性和电性能的影响比较了单层与双层有源层结构器件的电特性与相比 TFT I 2 ， 1． 5 × 10 － 12 A ;I / I ， 7 ． 97 × 106 。 SZO / ZnO 的低个数量级最低达高两个数量级最高达而双有源 off on off