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44 1 人 工 晶 体 学 报
第 卷 第 期 Vol． 44 No． 1
2015
2015 1 JOUＲNAL OF SYNTHETIC CＲYSTALS January ，
年 月
微波等离子体下GaN 的分解与纳米金刚石膜的沉积
田 ， ， ， ， ，
寒梅 刘金龙 陈良贤 魏俊俊 黑立富 李成明
( ， 100083)
北京科技大学新材料技术研究院 北京
摘 : (microwave plasma chemical vapor deposition ，MPCVD)
要 采用微波等离子体化学气相沉积 技术系统地研究了
GaN 。 GaN ， ，
的分解机制 结果表明微波等离子体富氢环境促进了 的分解反应 分解过程由表面缺陷开始 向侧面扩
， ; GaN ，
展 最后沿氮极性面进行 氢等离子体中通入少量氮气能够显著抑制 的分解 在此基础上采用两步生长法成功
实现在GaN 上纳米金刚石膜的直接沉积。
: ; ; ;
关键词 氮化镓 分解 微波等离子体化学气相沉积 纳米金刚石膜
中图分类号:TG174． 4 ;TB34 文献标识码:A 文章编号:1000-985X (2015)01-0007-06
Decomposition of GaN and Direct Deposition
of Nano-diamond Film in Microwave Plasma
TIAN Han-mei，LIU Jin-long ，CHEN Liang-xian ，WEI Jun-jun，HEI Li-fu ，LI Cheng-ming
(Institute for Advanced Materials and Technology ，University of Science and Technology Beijing ，Beijing 100083 ，China)
(Ｒeceived 15 September 2014 ，accepted 2 November 2014)
Abstract :The decomposition mechanism of GaN in microwave plasma was studied systematically using
the microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD)technology． The results indicate that H-rich
environment accelerates th
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