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SOICMOS模拟集成电路发展概述【荐】.pdf
第 34 卷第 4 期 微 电 子 学 V o l34, № 4
2004 年 8 月 M icroelectron ics A u g 2004
文章编号:(2004)
SO I CM O S 模拟集成电路发展概述
刘忠立
( 中国科学院 半导体研究所, 北京 100083)
摘 要: 从 SO I CM O S 模拟集成电路( IC ) 中存在的关键问题——浮体效应——及其影响出发,
介绍了在解决浮体效应以后, 已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况。特别指出了SO I
CM O S 在实现R F 电路及 SO C 芯片中的优点。
关键词: SO I; CM O S; 模拟 IC; R F 电路; SO C
中图分类号: 43 11 文献标识码:
TN A
A Survey of the D evelopm en t of SO I CM O S Ana log In tegra ted C ircu its
L IU Zhon gli
( , , 100083, )
S em icond uctor I ns titu te T he Ch inese A cad emy of S ciences B eij ing P R Ch ina
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A bstract B eg inn ing w ith th e flo at ing body effect an d it s in flu en ce on SO I CM O S an a log in tegrated circu it s th e
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deve lopm en t o f typ ica l SO I CM O S an a log IC s is de scr ib ed A dvan tage s o f R F circu it s an d SO C s im p lem en ted in
SO I CM O S are d iscu ssed in p ar t icu lar
Key words: SO I; CM O S; A n a log in tegrated circu it; R F circu it; SO C
: 2570; 2570
EEACC D
1 引 言 2 SO I CM O S 模拟 IC 的关键问题
SO I CM O S 技术始于 1970 年代中期, 1980 年 2 1 浮体效应及其影响
代 是解 决材料 的关键 时期, 1990 年代 至今, 从 众所周知, SO IM O S 器件可分为部
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