SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟【荐】.pdfVIP

软件时空 文章编号：1008—0570(2007)04-3-0273--03 UPREM—II S I进行集成电路氧化一扩散工艺模拟 ICOxidationandDiffusionProcessS／nU／at／onw／thSUPREM一|n (沈阳化工学嘲刘欢 魏立峰王健边福强 LIUHUANWEILIFENGWANGJIANBIANFUQIANG 摘要：随着集成电路工艺的不断发展，工艺模拟软件功能也在不断的改善，本文以氧化扩散工艺为例，并在计算机上采用 SUPREM—III完成氧化扩散初始条件的编辑以及工艺模拟。并对模拟结果进行分析比较。从而对氧化、扩散工艺操作过程有 直观的了解，避免了复杂的工程计算。 关键词SUPREM-EII；氧化扩散；工艺模拟 中图分类号：TN405 文献标识码：A Abstract：Withthe inthe ofintenrated functionofthe simulationsoftwarehasbeen development circuits，the rapid process process Theoxidationanddiffusion editof initialconditionand chemical improvedconstantly，Taking process∞example，Theprocess oxygen diffusion are theoxidationanddiffusion simulationdoneonthe simulationcurvesarealso process computer．The compared．and pm— eesscallbe seenwhile the easily avoidingcomplicatedengineeringcomputation。 chemical simulation Keywords：SUPREM-III；oxygendiffusion；process 免了长时间的工程计算。系统提供了实际氧化，扩散炉设备操 1概述 作面板，在计算机上完成氧化，扩散工艺控制程序的编辑以及 随着微电子技术的发展。微电子技术领域的计算机辅助设 氧化。扩散炉的操作，并得到相应操作的模拟结果．从而对氧化， 计技术业已经成为设计开发研制半导器件及各种结成电路。优 扩散工艺操作过程有了更深刻的了解。 化半导体器件工艺及集成电路工艺分析器件及电路特性得必 2氧化、扩散模拟软件 不可少得技术手段．几年来’我们在这个领域里做了一些工作．深 感从事微电子技术研究得技术人员应尽快得掌握这一技术，才 本文采用SUPREM模拟离子注人的分布，该程序也用于 能显著的提高开发研制新品．解决工艺中技术问题得能力．从而 计算扩散的分布。这一特点是十分有用的，因为实际上大多数 提高占领及开拓微电子产品市场得技术实力。 杂质都是靠注入实现掺杂。杂质的注入，激活，扩散都可以模 Stanford Process SUPREM(TheUniversityEngineeringModel)拟，并和实际分布相比较。SUPREM包括大多数常用掺杂剂的 系统是用于通用集成电路及分力半导体器件工艺得计算机模 注入参数。通常，该程序可根据简单的高斯分布2，双边高斯分