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Lektmitskii理论在准晶断裂问题中的应用+
张亮亮高阳
中国农业大学理学院,100083
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何£口∞彤自,镕化对准晶材料的卉擘秆为和自%#制的认识.
g论
关键词:准晶材料,断裂,Lek}Haitskii
一、引言
准晶材料车身呈脆傩,苛刻的丁作环境将使材料产q-缺陷.这些缺陷的存在破坏了
麒材料(或结构)的几何或物理连续性,故在非连续区附近将产生局部的应力集中,进
fⅢ转变为裂纹,裂纹不断扩展.最终导致结构非正常失效或破坏。由于柑位了场的存在
以及声子场和相位子场的耦合,导致准晶材料裂纹扩展的基本特征与普通晶体材料差别
很大(见罔I”)。为了揭示准晶材料由于含裂纹产生失效破坏的基本机理,文巾确定r
表征材料与结构断裂现象的相关物理量,场强度因子置和能量释放率G。
圈l十角准晶中的裂纹扩展:(a)裂纹尖端停止扩展,咖位错产生;和)随声子壁裂开
二、Lekhnitskii理论的应用【2】
Leklmitskil理论中·将复矩阵A祁B的求解划归为求解特征方程的根,即特征值。
对立方准晶问题,可得到麻力分量T(f=1.2).具体形式如下:
r=h-,q:,H。只:,】1=一a:P …
正=[吒.,吒:,且,,片Ⅲ】。=o。矿
式中%(1.J=1,2)为声子应力,q,(f,』=l,2)为相位子应力。广义麻力甬数叩为
受国家自然科学基金(111723I帅和中央高校基本科研业务赞专项资盒项目(20Ⅲs㈣资助
8
m京^学☆*1B学$年会论t集:誊评青年*砉话t
“,.(f,J=l,2)为,,f位移,w,s(i,J=1,2)为辑|位于位移,矩阵A为:
A;【p,g,,,,。r,,,P.。+^:+‘4。Ⅳ,+‘z‘;‘_+‘+tt^一Ⅳ,+t:1(21
2r)
一亡“,r2q+r:1l/x,u。“‘。玄n“~¨‘““+kl
根据Lekhnitskii公式,IⅡ以得到复矩阵A和B的明确表达式。
场强度蹦f为*-阵置,其中K?和K.1分别表示两种裂纹的卢子场强度因了;K÷和
K:分别表示两种裂纹的t}}1位子场强度因子,叮以得到:
(3)
f=[Ⅳ㈧,Kj,E玎=慨扛T;i砩(“o)=屙:
其一Iae=【《,《,圩;,H:】1。同样得到应变能量释放率的结果:
G;一÷i7Im(』∥)i (4)
三、结论
在卢于场.相位于场耦合场中,无量纲能量释放率(G/瓯)由特定的量决定t即使相
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例3.维女方准品无量制能量释放率M耦☆参数Z的变化圈
参考文献
1 F。,Tre““8“61““9,。“。“”“…4…9“4脚5
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2:怒船竺=警茹:渊罢警裟%::。删篙““”…”~“””
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