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光致衰退效应 light-induced degradation 也称S-W效应。a-SiH薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。 对S-W效应的起因,至今仍有不少争议,造成衰退的微观机制也尚无定论,成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为,S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-SiH薄膜材料的费米能级EF的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 在a-SiH薄膜材料中,能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键,这些键的键能较大,不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序,使得一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当,可以被外界能量打断,形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构,则a-SiH薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-SiH薄膜中的悬挂键,以期寻找稳定化处理方法和工艺,20多年来,国内外科学工作者进行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱键断裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍没有形成统一的观点。非晶硅太阳能电池PIN结沉积方法 时间:2009-10-27 16:21?作者:小编 非晶硅太阳能电池PIN结沉积方法 强生光电投产第五代非晶硅薄膜电池 南通强生光电科技有限公司近期在上海宣布，中国首家第五代大面积非晶硅薄膜太阳能电池已在强生光电投产，公司有望在两年半内使光伏发电上网F~ffr每度降至0．65元人民币，使太阳能发电成本接 非晶硅太阳能电池PIN结沉积方法 强生光电投产第五代非晶硅薄膜电池 南通强生光电科技有限公司近期在上海宣布，中国首家第五代大面积非晶硅薄膜太阳能电池已在强生光电投产，公司有望在两年半内使光伏发电上网F~ffr每度降至0．65元人民币，使太阳能发电成本接近火电厂。 晶硅薄膜电池因其沉积均匀度要求高，面积越大，成本越低，但设备及工艺要求也越高。目前，一般企业只能生产第二、第三代小面积薄膜电池，转换效率较低，而国际上能够制造第五代薄膜电池设备的企业和生产第五代薄膜电池的工厂屈指可数。 此次，强生光电与美国第三大真空设备制造公司合作，共同研发、改进和制造了全新技术的薄膜电池核心装备，终于实现第五代薄膜电池生产线在中国的首次量产。 非晶硅薄膜电池, 顾名思议, 它是将非晶硅以薄膜的形式沉积在载体上形成的太阳能电池, 其薄膜就是非晶硅太阳能电池,即相对于多晶硅太阳能电池, 不过非晶硅电池非常薄. 非晶硅薄膜电池,包含PIN结构,? 现在有些电池已经具双结构,或三结构, 即两层PIN结, 或三层PIN结. 下面是非晶硅太阳能电池PIN结沉积方法: 把硅烷(SiH4)等原料气体导入真空度保持在10—1000Pa的反应室中，由于射频(RF)电场的作用,产生辉光放电，原料气体被分解，在玻璃或者不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜材料。此时如果原料气体中混入烷(B2H6)即能生成P型非晶硅,混入磷烷(PH3)即能生成N型非晶硅。仅仅用变换原料气体的方法就可生成pin结，做成电池。为了得到重复性好、性能良好的太阳电池，避免反应室内壁和电极上残存的杂质掺入到电池中，一般都利用隔离的连续等离子反应制造装置，即p,i,n各层分别在专用的反应室内沉积。 PN结（PN junction） 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。 一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形