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第二章 真空蒸发镀膜法 要点： 真空蒸发原理 蒸发源的蒸发特性 蒸发源的类型 合金及化合物的蒸发 膜厚和淀积速率的测定 §2-1 Principle of Vacuum Evaperation 一：真空蒸发的特点 （1 ） 特点：成膜速度快0.1 －50um/min，设 备比较简单，操作容易；制得薄膜纯度高；薄 膜生长机理较简单。 （2 ）缺点：薄膜附着力较小，结晶不够完 善，工艺重复性不够好。 （3 ）结构主要有：真空室；蒸发源；基板； 基板加热器及测温计。 二、过程 1. 蒸发材料加热 2. 蒸发粒子的输运 3. 蒸发粒子在基片的成膜 三、饱和蒸汽压－P vap 定义：在一定温度下，汽、固或汽、液两相 平衡时，气体的压力称为该物质的饱和蒸汽 压。 显然是温度的函数：P ＝F （T ） vap 蒸发温度：饱和蒸汽压为10-2 Torr （1 Pa） 时的温度。 饱和蒸气压的理论推导 克拉伯龙——克劳修斯方程： dP H vap vap (TdTV g V)s l − / P ：饱和蒸气压；H ：蒸发热或摩尔气化热。 vap vap Vg 、Vs/l ：气相和固相、液相的摩尔体积 显然：V V ，并且低气压下蒸气分子符合理想气 g s 体状态方程 R T 理想气体状态方程： V g P v 所以 dP H ⋅dT d (ln P ) −H v v v v =⇒ P RT 2 d 1 R v ( ) T H ：视为常数，积分得 v H B P C v P A ln v − ⇒lg v =− RT T 得到：lnP 与1/T近似为直线！ v Pv －T 的近似关系式