扩撒工艺培训资料2011.ppt

扩散工序工艺卫生 要求 桂林众阳光能科技有限公司 扩散间工艺卫生 为保证扩散间1万级洁净度标准和稳定电池片的效率，以下各条款各部门人员应严格遵守。 1、非扩散间工作人员不得进入扩散间，如有需要进入扩散间的人员（工艺、设备、设施、电池线巡检）必须换鞋套、戴口罩，经30s风淋后才可进入；扩散间两侧的门除存取源瓶时，平时不得打开。 扩散间工艺卫生 2、扩散间工作人员必须严格按照规定穿戴洁净服、帽，所有扣子（包括粘拉毛）和拉链必须扣好拉严。除眼部皮肤外，其他皮肤不得裸露于空气中。头发应完全掩盖在帽子下，女生的刘海和辫子应全部遮掩在帽子下。 3、清洗间和扩散间的传递窗严禁同时打开，传递窗由清洗间人员定时擦洗，每班每四小时擦洗一次。 4、装片台不得堆放过多的清洗甩干后的硅片，装好舟的硅片应及时进行扩散工艺或放于通风柜中，避免长时间暴漏于空气中。 扩散间工艺卫生 5、操作过程中，严令禁止赤手接触硅片、吸笔、花篮、石英舟、舟叉及其他任何作业工具。 6、装片人员与卸片人员应分开工作，避免交叉污染硅片。卸片后如要装片应更换乳胶手套。 7、禁止在扩散间追逐打闹，尽量减少起身走动次数，以减少扬起地面灰尘的几率。 扩散间工艺卫生 8、注意洁净服的卫生，避免洁净服沾污油污和粉尘。建议每周将洁净服、帽和鞋清洗一次。 方块电阻测试要求桂林众阳光能科技有限公司 1：着装规范 操作提示：戴好头套、工作帽、口罩、汗布手套、乳胶手套，左手戴上一次性手套，右手臂戴上净化护袖 2：操作准备 操作提示：打开电源开关，初次测量时，要先预热15min 3：检查指示灯 操作提示：检查各类指示灯是否正确，确保温度正常，无强光直射，无高频干扰 4：调整电流 操作提示：确定“R□”“I”“EXCH.1各个指示灯亮。把电流档位从0.1MA调至10MA。用手轻轻旋转调节按钮使电流值为4.530MA。 5：切换指示灯 操作提示： 把”I“的指示灯切换至R□/P 6：准备硅片 操作提示：缓慢从承载盒中抽取出要进行测量的硅片. 7：显示数值 操作提示：待R□数值稳定时读取数值。 8：记录数据 操作提示：扩散面向上,把硅片放到测试台上,片子轻轻靠住定位块,确保了测试点正好是硅片的 中心点. 桂林众阳光能科技有限责任公司 扩散工艺 2011-4-8 什么是扩散？ 扩散是一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程 是掺杂的一种工艺方法 扩散的条件是什么？ 一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度 系统内部有足够高 的能量可以使高浓度的材料进入或通过另一种材料 常见的扩散现象 气相扩散：充压喷雾罐（空气清新剂之类） 液相扩散：墨水与水混合 固相扩散：金链子与皮肤 什么是结？ 富含电子的区域（N型区）与富含空穴的区域（P型区）的分界处 结的具体位置在哪里？ 电子浓度和空穴浓度相同的地方 结的扩散形成 杂质气流 扩散炉管 +：P型杂质原子 －：N型杂质原子 大量的杂质气体进入密闭空间（扩散炉） 杂质气体在扩散炉内扩散（气相扩散） 因为进入的杂质气体为N型杂质原子，硅材料内部为P型杂质原子，因为浓度的关系，发生扩散过程 因为扩散到晶圆内部的N型杂质原子数量高于第一层中P型原子数量，形成N型导电层 发生从第一层向第二层的扩散 同样，第二层中的N型杂质的数量高于P型，使第二层转变为N型 向深处继续扩散 NP结与PN结？ NP结：掺杂区中N型原子浓度高 PN结：掺杂区中P型原子浓度高 扩散的工艺目的？ 在硅片表面产生具体掺杂原子的数量（浓度） 在硅片表面下的特定位置处形成PN（或NP）结 在硅片表面层形成特定的掺杂原子（浓度）分布 扩散工艺步骤 淀积（deposition） 推进氧化（drive-in-oxidation） 淀积工艺的影响因素？ 特定杂质的扩散率（diffusivity） 杂质在晶圆材质的最大固溶度（maximum solid solubility） 扩散源的选择？ 液态源(如溴化硼BBr3，三氯氧磷POCl3) 气态源(如三氢化砷AsH3，乙硼烷B2H6) 固态源(如硼块（含硼和氮的化合物）) 推进氧化的目的？ 杂质在硅片深处的再分布 氧化硅表面 推进氧化的影响 若杂质是N型，会发生所谓的堆积效应，增加了硅表层的杂质数量。 若杂质是P型，会发生相反的效应，降低了硅表层的杂质数量。 太阳电池工艺中的扩散众阳光能科技有限公司 扩散的目的：形成PN结 扩散--结深 对扩散的要求是获得适合于太阳电池pn结需要的结深和扩散层方块电阻，浅结死层小，电池短波响应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子，这样，增加了工艺难度，结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电