模电复习大纲(P.95).ppt

动态 仅输入差模信号， 大小相等，相位相反。 大小相等， 信号被放大。 相位相反。 抑制零点漂移 温度变化和电源电压波动，都将使集电极电流产生变化。且变化趋势是相同的， 差分式放大电路对共模信号有很强抑制作用。 其效果相当于在两个输入端加入了共模信号。 几种方式指标比较 输出方式 双出 单出 双出 单出 共模抑制比 双端输出，理想情况 单端输出 抑制零漂能力 越强 单端输出时的总输出电压 频率响应 高频响应与共射电路相同，低频可放大直流信号。 例题:回答下列问题。 图7.15 例题7.04电路图 ①求图 7.15 在静态时运放的共模输入电压; ②若要实现串联电压反馈, Rf 应接向何处? ③要实现串联电压负反馈,运放的输入端极性如何确定？ 1、理解放大和放大电路的性能指标 (放大倍数，输入、输出电阻） 2、放大电路组成及特性（考点：静态工作点的计算、接法是否正确、各器件的作用） 重点掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 电路的组成和工作原理, 共射极放大电路 放大电路如图1所示，晶体管T1 的rbe1=6k，T2的rbe2=1.2k， 两管的 ， 要求 (1) 计算该多级放大电路的输入电阻 和输出电阻 ; (2) 计 算 和 时 的 各 是 多 少。 3、熟练掌握用估算法求电路的静态工作点Q 了解图解法 求Q点 直流负载线 交流负载线 分析非线性失真 饱和失真 静态点过高 截止失真 静态点过低 信号过大 增益过大引起的失真 确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线) 4、共射电路的计算 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类： 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 1. 场效应管种类及特性 2.双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 3.各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 1. 反馈 hfeib ic vce Ib vbe hrevce hie hoe 内部反馈 外部