在系统可编程技术与应用(第二章)PROM2.pptVIP

第二章 可编程逻辑器件原理与应用 2.1 可编程逻辑器件的表示法、基本结构 2.2 可编程只读存储器 2.3 可编程阵列逻辑器件PAL 2.4 通用阵列逻辑器件GAL 2.2 可编程只读存储器 2.2.1 固定ROM 2.2.2 一次性可编程PROM 2.2.3 光可擦可编程只读存储器EPROM 2.2.4 电可擦可编程只读存储器EEPROM 2.2.5 快闪存储器 2.2.6 用PROM实现组合逻辑函数 2.2.1 固定ROM 固定ROM （Read Only Memory）存储的信息一般由厂商在制造时写入。 信息一旦写入，只能读出信息而不能修改。 所存信息在断电后仍能保持，常用于存放固定的信息。 如主板上用以存储基本输入输出系统——BIOS的ROM。开机时，CPU首先执行ROM BIOS中的指令来有哪些信誉好的足球投注网站磁盘上的操作系统文件。 ROM由地址译码器、存储矩阵和读出电路三部分组成。 n位地址（A0～An－1）经译码器译出后使2n字线 （W0～ W2n-1）中的一条有效，从而在存储矩阵2n个存储单元中选中其中之一。 通过被选通单元的m个基本存储电路的位线 （D0～Dm－1），即可读出存储单元的内容。 对于有n位地址和m位字长的ROM来说，它的存储容量为2n×m位。 存储器的容量＝字数×位数 2.2.2 一次性可编程只读存储器PROM PROM（Programmable Read Only Memory ） 封装出厂前， 存储单元中的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需要，进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”），写好后就不可更改。所以它只能写入一次。 PROM电路的特点是在与或阵列的各个交叉点上均有熔丝和存储元件串接的电路。 PROM 与门阵列是固定的，或门阵列可编程。 PROM PROM 光可擦除可编程EPROM （Erasable Read Only Memory ）的存储内容不仅可以根据用户要求写入信息，而且当需要更新存储内容时，可以将原存储内容抹去，再写入新的内容。 若要擦去所写入的内容， 可用EPROM擦除器产生的强紫外线，对EPROM照射20分钟左右，使全部存储单元恢复“1”，以便用户重新编写。 这一特性，取决于EPROM的内部结构。即它的存储元件是叠层柵存储单元（叠层柵注入MOS管， 简称SIMOS管） ，其栅极是浮空的多晶硅。 电擦除可编程E2PROM是近年来被广泛使用的一种只读存储器，有时也写作EEPROM。 特别是最近的+5 V电擦除E2PROM，通常不需单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除，使用非常方便。 闪速存储器Flash Memory又称快速擦写存储器或快闪存储器，是由Intel公司首先发明，近年来较为流行的一种新型半导体存储器件。 它在断电的情况下信息可以保留。 可以在线进行擦除和改写。 具有集成度高、容量大、成本低和使用方便等优点。 2009-02-16 * * * 1 2 3  4 图2–11 固定ROM组成框图 固定ROM组成框图 5 图2–12 二极管固定ROM电路图 6  固定ROM 7  8 熔丝型PROM的存储单元 图2–13 熔丝型PROM的存储单元 9 图2–13是PROM的一种存储单元，它由三极管和熔丝组成。 存储矩阵中的所有存储单元都具有这种结构。 出厂前，所有存储单元的熔丝都是通的，存储内容全为“1”。 用户在使用前进行一次性编程。 若想使某单元的存储内容为“0”，只需选中该单元后，在输出端加上电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断即可。 熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写成“0”后就无法再重写成“1”。 因此PROM只能编程一次，使用起来很不方便。 EPROM则克服了这一缺点。 10 图2–14 PN结击穿法PROM的存储单元 PN结击穿法PROM的存储单元 11 图2–15 16×8位PROM的电路图 12 PROM的阵列结构 图2–16 PROM的阵列结构图 13  14  存储单元的输出是一个或阵列，可表示为下列逻辑函数： 15 PROM PROM表达的PLD图阵列 用PROM完成半加器逻辑阵列 图2–17 用PROM设计半加器 16  2.2.3 光可擦除可编程EPROM 17 图2–18 SIMOS管的结构和符号 EPROM的存储单元采用叠层柵注入MOS管 浮柵（多晶硅） 控制柵（多晶硅） 18 2.2.4 电擦除可编程E2PROM 19 E2PROM的存储单元 图2–19 E2PROM的存储单元 V1浮柵隧道氧化层MOS管 V2门控管 G 20 2.2.5 闪速存储器Flash Memory 21 步骤为如下： 确定输入变量数和