场效应管的特性.docVIP

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.场效应管的主要参数 :Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM? ?? ? Cds---漏-源电容　　Cdu---漏-衬底电容　　Cgd---栅-源电容　　Cgs---漏-源电容　　Ciss---栅短路共源输入电容　　Coss---栅短路共源输出电容　　Crss---栅短路共源反向传输电容　　D---占空比（占空系数，外电路参数）　　di/dt---电流上升率（外电路参数）　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）　　ID---漏极电流（直流）　　IDM---漏极脉冲电流　　ID(on)---通态漏极电流　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）　　IDS---漏源电流　　IDSM---最大漏源电流　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）　　IG---栅极电流（直流）　　IGF---正向栅电流　　IGR---反向栅电流　　IGDO---源极开路时，截止栅电流　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流　　IGM---栅极脉冲电流　　IGP---栅极峰值电流　　IF---二极管正向电流　　IGSS---漏极短路时截止栅电流　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流　　Iu---衬底电流　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）　　gfs---正向跨导　　Gp---功率增益　　Gps---共源极中和高频功率增益　　GpG---共栅极中和高频功率增益　　GPD---共漏极中和高频功率增益　　ggd---栅漏电导　　gds---漏源电导　　K---失调电压温度系数　　Ku---传输系数　　L---负载电感（外电路参数） 　　LD---漏极电感　　Ls---源极电感　　rDS---漏源电阻　　rDS(on)---漏源通态电阻　　rDS(of)---漏源断态电阻　　rGD---栅漏电阻　　rGS---栅源电阻　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数）　　RL---负载电阻（外电路参数）　　R(th)jc---结壳热阻