第五章 存储器扩展技术.ppt

第5章 存储器扩展技术 本章重点： 了解存储器的种类； 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、控制信号（ALE、RD、WR、PSEN、EA等）的连接； 能设计存储器扩展电路图，根据电路图分析地址。 5.1 半导体存储器的分类 5.2 单片机最小应用系统 5.3 单片机程序存储器扩展 5.4 单片机数据存储器扩展 5.5 存储器综合扩展 本章小结 5.1 半导体存储器的分类 5.3　单片机程序存储器扩展 程序存储器扩展实例 【例1】 8051扩展一片2764 EPROM(8KB)。 解：P2口的P2.0～P2.4与EPROM的高5位地址线连接；P0口经地址锁存器输出的地址线与EPROM的低8位地址线相连，同时P0口又与EPROM的数据线相连；单片机ALE连接锁存器的锁存控制端；PSEN接EPROM的输出允许OE；8051的内、外存储器选择端EA接地。 扩展单片EPROM，其片选CE直接接地即可。只要系统执行读外部程序存储器的指令，该EPROM就处于选通操作。P2口的P2.5～P2.7未用，所以它们的状态与2764的寻址无关；P2.5～P2.7有八种状态，2764的寻址范围对应有八个映像区。 程序存储器扩展实例 6116的引脚与封装 62系列SRAM引脚与封装 OE OE OE WE WE WE 5.4.2 数据存储器的扩展方法 （1）地址线和数据线的连接：与扩展程序存储器的连接方法相同。 （2）控制线的连接 ALE：与地址锁存器的G相连接； CE ：为片选信号输入端，低电平有效. RD（P3.7）：读控制信号，与外部RAM芯片的OE连接。 WR（P3.6）：写控制信号，与外部RAM芯片的WE连接。 5.4.3 访问片外RAM单元指令 访问片外RAM单元指令只能用下列四条指令： MOVX　A,@Ri MOVX　@Ri,A ；访问片外RAM页内单元 MOVX　A,@DPTR MOVX　@DPTR,A ；访问片外RAM任意单元 当CPU执行上述指令时，自动产生有效的读写控制信号从RD 和WR引脚输出。 5.4.4 数据存储器扩展实例 【例5-4】用两片6264芯片扩展16KB的外部数据存储器。 解：扩展静态RAM与扩展ROM相似，只是控制信号有所不同. 单片机的RD接两片RAM的读选通信号输入端OE；WR接两片RAM的写选通信号输入端WE。 P2口的P2.0～P2.4与两片RAM的高5位地址线A8-A12连接；P0口经地址锁存器输出的地址线与RAM的低8位地址线A0-A7相连，同时P0口又与RAM的数据线D0-D7相连；单片机ALE连接锁存器的锁存控制端G. P2口的P2.7、P2.6、P2.5与译码器的C、B、A连接，Y0、Y1分别连接两片RAM的片选信号输入端CE，则1#6264的地址范围是0000H～1FFFH，2#6264的地址范围是2000H～3FFFH。 * 半导体存储器 磁心存储器 电耦合存储器 随机存取存储器 只读存储器 串行存储器 并行 存 储 器 5.1.1 随机存取的存储器 随机存取存储器（Random Access Memory），简称RAM，在单片机系统中用于存放可随时修改的数据 ，因此在单片机领域中也常称之为数据存储器。 RAM又可分为静态RAM（Static Random Access Memory，简称SRAM）和动态RAM（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）两种，对RAM既可以进行写操作，又可以进行读操作。 RAM是易失性存储器，掉电后所存储的信息立即消失。 5.1.2 只读存储器 只读存储器（Read Only Memory），简称ROM，在单片机系统中用于存放程序、常数和表格常数等，因此在单片机领域中也为程序存储器。 只读存储器中的信息一旦写入之后就不能随意更改，特别是不能在程序运行过程中随意写入新的内容，而只能读取存储单元内容，故称只读存储器。 只读存储器分为五种：掩膜ROM，简称ROM；可编程只读存储器，简称PROM ；紫外线擦除可改写只读存储器，简称EPROM；电擦除可改写只读存储器，简称EEPROM（也写成E2PROM）；闪速存储器，简称Flash ROM。 5.2　单片机最小应用系统 单片机最小应用系统是在简单的应用场合，以最简便的电路就可以满足其要求，它只需要一片单片机芯片再配上时钟电路和复位电路即可构成。 结构简单，价格便宜，使用非常方便。 5.2.1 8051/8751最小应用系统 8051/8751片内驻留4KB的掩膜ROM /EPROM，在构成最小应用系统时，只要加上复