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第二章 电磁场的基本规律(6) * 边界条件的定义: 电、磁场等场量在跨越不同介质时,由于受各种方程限制在边界处所必须满足的条件。 边界条件的意义: 由于电磁场等不可能总处于一个媒质中,故无论解决何种实际问题,都不可避免碰到边界条件。 边界条件是仅次于Maxwell方程和电荷守恒定律的重用方程。 边界条件的推导: 以积分形式Maxwell方程为出发点。 在跨越边界处建立相应的小体元或者小环路。 将方程应用到该体元或环路 基于一定的假设对积分进行简化 得到边界条件 第一方程:电场旋度方程 作如图所示的小回路(白色填充) 回路方向为逆时针方向 回路为长方形,长为l并平行于边界高为h垂直于边界 边长l比较小,小至场量在其上的分布可以看做均匀 边长h更小,小至趋于0. 不定场量 不定场量为有限值,而高h趋于0,故乘积为0 电场切向方向连续 第二方程:电位移矢量散度方程 作如图所示的小圆柱(白色填充) 以上面法向问为正向 上下圆柱底面为S,法向垂直于边界,高为h垂直于边界 底面S比较小,小至场量在其上的分布可以看做均匀 边长h更小,小至趋于0. 不定场量 不定场量为有限值,而高h趋于0,故乘积为0 电位移矢量法向方向不连续 第三方程:磁场旋度方程 作如图所示的小回路(白色填充) 回路方向为逆时针方向 回路为长方形,长为l并平行于边界高为h垂直于边界 边长l比较小,小至场量在其上的分布可以看做均匀 边长h更小,小至趋于0. 不定场量 不定场量为有限值,而高h趋于0,故乘积为0 磁场切向方向不连续 第四方程:磁感应强度散度方程 作如图所示的小圆柱(白色填充) 以上面法向问为正向 上下圆柱底面为S,法向垂直于边界,高为h垂直于边界 底面S比较小,小至场量在其上的分布可以看做均匀 边长h更小,小至趋于0. 不定场量 不定场量为有限值,而高h趋于0,故乘积为0 磁感应强度法向方向连续 两种特殊近似(当未作说明时可近似): 良导体(电导率~10**7) —— 理想导体(电导率~无穷大) 电介质(电导率~10**(-14)) —— 理想介质(电导率~0) (1)介质(媒质1)和理想导体(媒质2)之间的边界条件 理想导体内部无场,故E=D=B=H=0 关于这个定论可以从多个方面解释,可自行理解 虽然在理想导体内部不存在各种场,但是在导体存在大量自由电子,故其表面允许存在自由电流和自由电荷,故等式右边不为0 天字第一号边界条件 (2)理想介质间的边界条件 理想介质的最大特点是介质内部没有自由电荷,所以在其表面不可能形成自由电流和自由电荷,故此 边界条件的应用(下面题目只给图形,如果电荷,计算ED;如果给电流计算HB) 解:对于这种类似的题目,考虑的重点是场如何跨越边界的?如图所示在这种情况下,由于场的对称性,必然与φ方向无关,可以判断场为同心圆。对于边界,同心圆与其平行,故在这种情况下场是切向通过边界。而在磁场和磁感应强度的相关边界条件中,磁场是切向连续的(无自由电流时),因此以磁场作为研究对象比较方便。 根据安培环路定律,可以得到 解:如图所示在这种情况下,由于场的对称性,必然与φ方向无关,可以判断场为同心圆。对于边界,同心圆与其平行,故在这种情况下场是法向通过边界。而在磁场和磁感应强度的相关边界条件中,磁感应强度是法向连续的(无自由电流时),因此以磁感应作为研究对象比较方便。 根据安培环路定律,可以得到 解:如图所示在这种情况下,由于场的对称性,场以电荷呈径向分布。 从另外角度来看,跨越边界处的场量平行与边界,可考虑切向分量为公共分量。 故: 作相应Gauss面,可得: E.g: Charge Q is uniformly distributed over the surface of a metallic sphere of radius R. Determine the E field just above the surface of the sphere. 解:表面电荷密度为 在导体球表面仅仅只有电位移矢量D的法线分量,为何? 如果包围导体球的介质为ε E.g: The plane z=0 marks the boundary between free space and a dielectric medium with a dielectric constant of 40. The E field next to the interface in free space is V/m. Determine the E field on the other side of the interface. 解:对于边界面来说,xy方向分量属于切向分量,故必须保持连续,故 而z方向属
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