MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究.pdf

第 47卷第 11期 电力 电子技术 Vo1．47，No．11 2013年 11月 PowerElectronics November2013 MPS快恢复二极管反向恢复时问的研究 陈 天，杨晓鸾，季顺黄 (无锡凤凰半导体科技有限公司，江苏 无锡 214000) 摘要 ：基于现代 电力 电子技术的发展要求 ，与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用 的快速二极管应具有低 的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述 了MPS快恢复二极管的反 向恢复原理，利用TCAD仿真软件对 快恢复二极管的反 向恢复时间参数进行 了仿真设计 。实验在外延硅片上利用外延层与衬底过渡区域的高浓度 梯度特性结合 电子辐照技术 ，制作出了反向恢复时间为45as的外延功率快速软恢复二极管：同时。通过在硅 片背面引入深层的n型掺杂缓冲层 ，在单晶硅片上制作出了具有较短反 向恢复时间(55as)和 良好软度因子的 单晶功率快速软恢复二极管。 关键词 ：快恢复二极管；反 向恢复时间：缓冲层 中图分类号：TN3 文献标识码 ：A 文章编号：1000—100X(2013)11-0073—03 Research onReverseRecoveryTimeofM PSFastRecoveryDiode CHEN Tian，YANG Xiao．1uan，JIShun．huang (Wu’xiPhoenixSemiconductorScienceandTechnologyCompany，Wu’xi214000，China) Abstract：Basedontherequirementsofthedevelopmentofmodernpowerelectronictechnology，thefastrecoverydiode inparallelwith mainpowerswitchdevicesasaclampingorbufferroleshouldhavelow workloss，superfastandSU— persoft reverserecovery characteristics．The reverse recovery principleofthe MPS fastrecovery diode isdiscussed， fastrecoverydiodewith thereverserecovery time issimulated and designed by using theTCAD simulator．Inprae— tice，a powerfastand soft recoverydiodewith reverse recoverytime of45nsisproducedon epitaxialwafers asthe transitionareaofepitaxial layerand substratehashigh concentrationgradientfeaturesusingthetechnologyofelectron irradiation．Athtesame time，apowerfastsoft recovery diodewith smallerreverse recoverytime of55nsand good softnessfactoriscreatedon single crystalSiliconthroughtheintroductionofadeep n—typedoped bufferlayeron the backsideoftlleSilicon． Keywords：fastrecoverydiode；reverserecoverytime；bufferlayer 1 引 言 器件的使用寿命及可靠性。因此。研究续流二极管