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LED照明应用技术 链接：/baike/2319.html LED照明应用技术 内容简介 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理，并对面临的问题与挑战进行了讨论；接着详述了LED制造中的 几个关键问题，包括衬底、外延、工艺和封装；随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高；最后对OL ED（即有机LED）技术进行了介绍。《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读，还可作为 材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。 目录 译者序 原书序 前言 第1章 LED：原理与挑战 1.1 光源领域的革新历史 1.2 LED和照明 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量 1.3.1 LED发出白光：原理与挑战 1.3.2 寿命 1.3.3 LED的品质 1.4 LED面临的挑战 1.5 参考文献 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底 LED照明应用技术 链接：/baike/2319.html 2.1 简介 2.2 晶体结构及其与6H-SiC和Al2O3的外延关系 2.3 异质外延的缺点和约束 2.3.1 位错 2.3.2 衬底的解取向 2.3.3 外延应力 2.3.4 热应力 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长 2.4.1 GaN生长 2.4.2 标准2D外延 2.4.3 3D外延生长 2.4.4 外延的横向过生长（ELO1S） 2.4.5 各向异性生长 2.4.6 两级ELOGaN生长（ELO2S） 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长 2.4.8 纳米外延 2.5 大块氮化物衬底 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS（高氮压溶液法） 2.5.2 GaN的氨热合成 2.5.3 GaN的卤化物气相外延（HVPE） 2.6 结论 2.7 参考文献 第3章 III族氮化物高亮度LED 3.1 简介 3.2 GaN的pn结 3.3 有源区：InGaN/GaN量子阱 3.3.1 生长和结构 3.3.2 光学性质 LED照明应用技术 链接：/baike/2319.html 3.4 辐射效率 3.5 结论与展望 3.6 参考文献 第4章 二极管工艺设计 4.1 简介 4.2 数量级 4.3 二极管结构 4.3.1 常规芯片（CC） 4.3.2 倒装芯片（FC） 4.3.3 垂直薄膜（VTF） 4.3.4 薄膜倒装芯片（TFFC） 4.4 晶片级光提取 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积 4.5.1 n型接触 4.5.2 p型接触 4.6 蚀刻 4.7 移除衬底 4.8 发展趋势 4.9 参考文献 第5章 封装 5.1 简介 5.2 各种封装工艺 5.2.1 历史背景 5.2.2 从晶片到芯片 5.2.3 带连接引脚的器件 5.2.4 SMT有引脚器件 5.2.5 SMT无引脚器件 5.2.6 其他技术 LED照明应用技术 链接：/baike/2319.html 5.2.7 小结 5.3 热管理 5.3.1 目的 5.3.2 散热方式 5.3.3 LED内的散热 5.3.4 各种封装工艺的比较 5.3.5 小结 5.4 LED的光提取 5.4.1 LED的横向光提取 5.4.2 利用透镜实现垂直光提取 5.4.3 透镜和密封材料 5.4.4 透镜和密封的实现 5.5 LED器件的特性 5.5.1 热和电气特性 5.5.2 光学特性 5.5.3 筛选 5.5.4 可靠性 5.6 结论与展望 5.7 附录 5.8 参考文献 第6章 电致发光二极管的光电特性 6.1 LED的光度测定 6.1.1 基本知识概述 6.1.2 常用参数 6.1.3 光度计/辐射计应具备的性能 6.1.4 发光强度的测量 6.1.5 光通量的测量 6.1.6 光谱测量 LED照明应用技术 链接：/baike/2319.html 6.2 LED的电气特性 6.2.1 正向电压 6.2.2 温度效应 6.2.3 光度测量用LE