Mo3Si-Mo5Si3硅化物中温氧化行为及其机理.pdfVIP

维普资讯 第 10卷第 3期 理化检验一物理分册 Vo1．4O No．3 2004年 3月 PTCA (PART A：PHYSICAIT}：S 【IN(；) Mar．200，l ! 试验研究 ! ! Mo3Si—Mo5Si3硅化物 中温氧化行为及其机理 叶长青 。姜传海 。周健威。吴建生 (上海交通大学材料科学与工程学院，高温材料及高温测试教育部重点实验室，上海 200030) 摘 要：研究了Mo。Si—MoSi3共晶硅化物在 6OO～1200℃中温氧化行为，分析 了中温氧化机理 和氧化瘟疫现象。结果表明，在 l000。C氧化并发生氧化瘟疫现象的试样中发现在孔洞和裂缝等缺 陷处优先生成混合氧化物。这种混合氧化物的体积效应导致pest现象的发生。 关键词：Mo3Si—Mo5Si3；中温氧化；氧化瘟疫 中图分类号：TB32 文献标识码 ：A 文章编号：1001—4012(2004)03-0109—03 OXIDATION AND MECHANISM OF Mo3Si-Mo5Si3AT ELEVATED TEMPERATURE YEChang-qing，J G Chuan-hai，ZHOUJian-wei，、Ⅷ Jian-sheng (KeyLaboratoryforHighTemperatureMaterialsandTestsofM inistryofEducation，SchoolofMaterialsScience andEngineering，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200030，China) Abstract：TheoxidationbehaviorofMo3Si-Mo5Si3eutecticsilicideat600~1200~C andpestphenomenahave beeninvestigated、Theresultsshow thattheformationofmixedMo-Sioxidesoccursfirstatdefectse．g．void， porosity，andcracksetc、，inthesamplesthatpartlypestedat1000℃．Thevolumeexpansionofmixedoxidesleads tOpest、 Keywords：MoaSi—Mo5Si3；Oxidationbehavioratelevatedtemperature；Pest 笔者进行共晶硅化物600~1200℃的循环氧化 1 引言 实验。利用 x射线衍射以及扫描 电子显微镜，对 Mo-Si系化合物由于其高的熔点和优异的高温 Mo。Si—MoSi。共晶硅化物的中温氧化机理及氧化 抗氧化性成为近几十年来高温结构材料研究的重 瘟疫现象进行了研究。 点。但是以MoSiz为基体的材料始终存在着低温 2 材料及试验 脆性、高温蠕变和Pest(氧化瘟疫，即材料氧化成粉 末，然后形成带有疏松或微裂纹的氧化物)等 问 采用电弧熔炼法制备得到 Mo。Si—MoSi。共晶 题__l]。其中氧化瘟疫现象是制约以MoSi为基体 硅化物。其 中钼粉 纯度 99．97％，硅粉 纯度 的材料作为高温材料应用的重要因素。人们开始关 99．99 。考虑到硅元素在熔炼过程中的损失，实际 注高钼含量的硅化物。MoSi。，Mo。Si与MoSi相