193nm光刻曝光系统的现状及发展.pdfVIP

第 l卷 第 1期 中国光学与应用光学 V01．1 No．1 2008年 12月 ChineseJouma1ofOpticsandAppliedOptics Dec．2oo8 文章编号 1674-2915(2008)01oo25—11 193nm光刻曝光系统的现状及发展 巩 岩，张 巍 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室，吉林长春130o33) ， 摘要：投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。 重点介绍了目前 l93nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术 ；通 过分析曝光系统的构成和其中的关键技术 ，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。 关 键 词：投影光刻；曝光系统；分辨率增强；照明；投影物镜；综述 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A Presentstatusandpr0gressin 193Iun exp0sure system in lith0graphy GONG Yan．ZHANG Wei (S抛 60m 铆 Zd0 ， 口， Illz正 诎 Dpt ， 0n 0 脚 s ， eA伽如 咄 ， 0，咖 nl30o33， 船) Abstraclt：Litl1ogmphicexposureisthekeypr0cessinthemanufacture0fintegratedcircuit，aJ1dt}Ieped0．珊 - anceofexposuresystem decidesthelevel0fmicmelectr0nicmanufacturetechnology．Inthisp印er，t}lepres· entstatusaJ1dpmgressin 193nm exposuresystem aredescribed．Theresoluti0n enhancementtechn0l0 es widelyusedin 193nm lith0graphy，suchas _f_axisiⅡumination，phaseshiftingmaLskandopticalpmximity correction，arealsointmduced．Byshowingthecomp0sitionandkeytechn0l0giesoftlleexposuresystem，the cha1lengesindevelopmentoflithographyinstmmentarediscussed． Keywords：projectionlithography；exposuresystem；resolutionenhancementtechn0logy；illumination；projec— tionlens：工elview 至今，短短几十年，经历了从小规模到超大规模和 1 引 言 特大规模集成电路的发展阶段…，其进步得益于 微 电子技术和微细加工技术的迅速发展。投影曝 作为微电子技术的标志，集成电路(Integrated 光光刻系统是 目前微 电子领域的主流设备，其曝 Circuit，IC)的发展 日新月异。自70年代 IC诞生 光工艺是 IC制造过程中最为重要的工艺步骤之 收稿 日期：20o8 —20；修订 日期：2008Jo7一l4 基金项目：“十一五”国家02专题资助项目． 26 中国光学与应用光学 第1卷 一 。 它的主要作用是将掩